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베이스(1);
상기 베이스(1)의 상부 일측에 고정되어 심봉(4)을 수직방향으로 지지하는 지그(2);
상기 심봉(4)과 통전될 수 있도록 상기 베이스(1)의 상부 타측에 고정되는 통전플레이트(3);
표면에 코팅된 코팅층(51)을 내전압 실험하기 위해 상기 통전플레이트(3)와 심봉(4)의 사이에 배치되는 시편(5);을 포함하여 이루어지되,
상기 심봉(4)의 단부에는 시편(5)의 불균일한 코팅층(51)의 어느 한 부분을 내전압 실험할 수 있도록 분침(42)이 나사결합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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제 1항에 있어서,
상기 시편(5)은 다양한 미세 높낮이를 갖는 불균일한 코팅층(51)에 상기 심봉(4)의 분침(42)과 통전될 수 있는 다수의 도트(511)가 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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3
제 1항에 있어서,
상기 지그(2)는 상호 이격된 높이를 갖는 2개의 지지암(21)이 형성되고, 상기 각 지지암(21)에는 심봉(4)이 관통되도록 지지구(211)가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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제 1항에 있어서,
상기 심봉(4)은 상단부로 삽입홈(41)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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5
제 4항에 있어서,
상기 삽입홈(41)에는 시편 코팅층(51)의 두께에 따라 심봉(4)이 다양한 하중을 가할 수 있도록 상단에는 끼움홈(4112)이 형성되고 하단에는 끼움돌기(4111)가 형성된 다양한 무게를 갖는 다수의 분동(411)이 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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6
제 1항에 있어서,
상기 분침(42)은 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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7
제 1항에 있어서
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8
제 1항에 있어서,
상기 시편(5)의 코팅층(51)은 플라즈마 융사 또는 애노다이징 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장비 시편 내전압 측정장치
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