1 |
1
소정의 두께를 갖는 제1고분자 층(101)과; 상기 제1고분자 층(101)에 적층된 소정의 신호선이 형성되어 있는 제1전도층(104)과; 상기 제1전도층(104) 위에 형성되고, 작용힘(Fin)의 변화에 따라 저항값이 변화되는 저항체(105);로 구성된 제1구조체(100); 및
소정의 두께를 갖는 제2고분자 층(201)과; 상기 제2고분자 층(201)에 적층된 소정의 신호선이 형성되어 있는 제2전도층(204);으로 구성된 제2구조체(200);을 포함하고,
상기 제1구조체(100)와 상기 제2구조체는 상기 저항체(105)를 중심으로 결합된 것에 있어서,
상기 제1고분자 층(101)과 상기 제1전도층(104) 사이에,
상기 제1고분자 층에 적층된 제1접지층(102); 및
상기 제1접지층(102)과 상기 제1전도층(104) 사이에 고분자 층(103);을 포함한 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
2 |
2
제 1항에 있어서,
상기 제1고분자 층(101) 또는 상기 제2고분자 층(201)은 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 제2전도층(204) 상에는 작용힘(Fin)의 변화에 따라 저항값이 변화하는 저항체(205)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
4 |
4
제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 저항체(105,205)의 폭은 상기 제1전도층(104) 또는 상기 제2전도층(204)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
5 |
5
제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 저항체(105,205)의 둘레에는 스페이서(300)가 더 구비된 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
6 |
6
제 5항에 있어서,
상기 스페이서(300)의 두께값에서 상기 저항체(105,205)의 두께값을 뺀 결과값은 0~50㎛인 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
7 |
7
제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 저항체(105,205)는 압력가변 저항재료로 구성된 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
제 1항에 있어서,
상기 제2고분자 층(201)과 상기 제2전도층(204) 사이에,
상기 제2고분자 층(201)에 적층된 제2접지층(202); 및
상기 제2접지층(202)과 상기 제2전도층(204) 사이에 고분자 층(203);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
10 |
10
제 9항에 있어서,
상기 고분자 층(103,203)은 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
11 |
11
제1항에 있어서,
사용자가 인가하는 작용힘(Fin)을 전압값(Vout)으로 검출할 수 있는 소정의 회로층이 더 포함되고, 상기 검출되는 전압값(Vout)은 다음의 [수학식 1]에 의한 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
12 |
12
제1항에 있어서,
사용자가 인가하는 작용힘(Fin)을 전압값(Vout)으로 검출할 수 있는 소정의 회로층이 더 포함되고, 상기 검출되는 전압값(Vout)은 다음의 [수학식 2]에 의한 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
13 |
13
제 1항에 있어서,
사용자가 인가하는 작용힘(Fin)을 전압값(Vout)으로 검출할 수 있는 소정의 회로층이 더 포함되고, 상기 검출되는 전압값(Vout)은 다음의 [수학식 3]에 의한 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
14 |
14
제 13항에 있어서,
상기의 회로층이 반전증폭기와 등가를 이루는 경우, -Vcc 는 0 [V] 이고, 상기의 +Vcc는 Vi003c#Vg003c#+Vcc 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 촉각센서
|
15 |
15
소정의 두께를 갖는 고분자 층(401) 상에 금속을 증착하여 소정의 신호선을 갖는 전도층(404)을 형성하는 전도층형성단계(S13); 및 상기 전도층(404)의 부식을 방지하기 위하여 도금하는 도금단계(S14);를 포함하는 구조체형성단계로부터 복수개의 구조체를 형성하는 단계(S10);
상기 복수 개의 구조체(400) 중 하나인 제1구조체(100)의 전도층(104) 상에 저항체(405)를 형성하는 저항체형성단계(S20): 및
상기 제1구조체(100) 및 상기 복수개의 구조체(400)중 다른 하나인 제2구조체(200)가 상기 저항체(405)를 중심으로 결합되도록 접착층(500)을 형성하여 본딩하는 결합단계(S30);를 포함하되 상기 전도층형성단계(S13)에 앞서,
상기 소정의 두께를 갖는 고분자 층(401) 상에 접지층(402)을 형성하는 접지층형성단계(S11); 및
상기 접지층(402) 위에 고분자 층(403)을 형성하는 고분자 층형성단계(S12);가 포함되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
16 |
16
삭제
|
17 |
17
제 15항에 있어서,
상기 도금단계(S14)는
구리, 금 및 은 중 적어도 어느 하나로 도금하는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
18 |
18
제 15항에 있어서,
상기 저항체형성단계(S20) 및 상기 결합단계(S30) 사이에는,
상기 제2구조체(200)의 전도층(204)에 저항체(405')를 형성하는 저항체부가형성단계(S25);가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
19 |
19
제 15항 또는 제 18항에 있어서,
상기 저항체(405,405')는 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피 또는 스퍼터 방식으로 증착한 후 에칭하여 형성되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
20 |
20
제 15항 또는 제 18항에 있어서,
상기 저항체(405,405')는 압력가변 저항재료를 스크린 인쇄법을 이용하여 도포하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
21 |
21
제 15항에 있어서,
상기 저항체 형성단계(S20)이전에,
상기 저항체(405,405')의 주위에 스페이서(300)를 형성하는 스페이서 형성단계(S19);가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
22 |
22
제 15항에 있어서,
상기 전도층(404)은 이-빔, 스퍼터 장비 또는 도금장비를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|
23 |
23
제 15항에 있어서,
상기 결합단계(S30)에서 접착층(500)은 경화제가 포함된 접착제, 양면 테이프 또는 필름 접착용 열접착 테이프인 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법
|