기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

2차원 도펀트이미징 공간분해능 기준 물질

기술번호 : KST2015179486
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 2차원 도펀트이미징 공간분해능 기준 물질에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도펀트확산경계면을 배제하여 1nm 이하의 고분해능까지 평가할 수 있는 2차원 도펀트이미징 공간분해능 기준 물질에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 본 발명은 도펀트가 포함되어 있는 반도체 박막층; 및 상기 도펀트를 포함하지 않는 상기 반도체 물질을 이용하여 상기 반도체 박막층 위에 형성된 코팅층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질을 제공한다. 공간분해능, 도펀트, 전기주사탐침현미경, 기준 물질
Int. CL	G01N 23/22 (2006.01) H01J 37/26 (2006.01)
CPC	H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01)
출원번호/일자	1020080047542 (2008.05.22)
출원인	한국표준과학연구원
등록번호/일자	10-1008656-0000 (2011.01.10)
공개번호/일자	10-2009-0121572 (2009.11.26) 문서열기
공고번호/일자	(20110125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.05.22)
심사청구항수	5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김달현	대한민국	충청남도 천안시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김종관	대한민국	대전광역시 서구 한밭대로 *번지 (둔산동, 사학연금회관) 층(특허법인 플러스)
2	박창희	대한민국	대전광역시 서구 한밭대로 *번지 (둔산동, 사학연금회관) 층(특허법인 플러스)
3	권오식	대한민국	대전광역시 서구 한밭대로 *번지 (둔산동, 사학연금회관) 층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.05.22	수리 (Accepted)	1-1-2008-0363993-49
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2009-0023545-11
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0040824-16
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.03.25	수리 (Accepted)	1-1-2010-0189099-67
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.03.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0189205-11
7	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2010.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0291656-51
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.07.30	보정각하 (Rejection of amendment)	1-1-2010-0495600-98
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.07.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0495578-70
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2010.11.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0495358-89
11	보정각하결정서 Decision of Rejection for Amendment	2010.11.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0495357-33
12	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2010.11.30	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2010-0049465-10
13	등록결정서 Decision to grant	2011.01.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0005342-80
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 도펀트가 포함되어 있는 반도체 박막층; 및 상기 도펀트를 포함하지 않는 반도체 물질을 이용하여 상기 반도체 박막층 위에 형성된 코팅층; 및 상기 반도체 박막층과 상기 코팅층 사이에 상기 반도체 박막층이 산화되어 형성된 산화막층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 박막층과 상기 코팅층 또는 상기 산화막층의 경계면은 상기 기준 물질을 측정하는 측정평면에 수직하고, 상기 측정평면은 표면 거칠기가 1nm 이하 수준으로 평평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 기준 물질은 도펀트 분포 측정뿐만 아니라 전기적 특성을 이미징하는 전기주사탐침현미경(ESPM) 및 전자현미경(SEM)에서 전기적 특성 측정방법의 공간분해능 기준 물질로 이용되는 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 반도체 박막층은 상기 도펀트가 포함되어 있는 실리콘 웨이퍼이고, 상기 코팅층은 상기 도펀트를 포함하지 않은 실리콘 코팅인 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질
6	6 삭제
7	7 제 2 항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 반도체 물질 대신에 상기 도펀트를 포함하지 않는 도체, 부도체 물질을 이용하여 생성되는 것을 특징으로 하는 2차원 도펀트 이미징 공간분해능 기준 물질
8	8 삭제

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국표준과학연구원	표준기술력향상사업	반도체 2차원 도펀트 분포 측정기술의 표준화

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1008656-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080522 출원 번호 : 1020080047542 공고 연월일 : 20110125 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110104 청구범위의 항수 : 5 유별 : G01N 13/10 발명의 명칭 : 2차원 도펀트이미징 공간분해능 기준 물질 존속기간(예정)만료일 : 20160111

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	120,000 원	2011년 01월 11일	납입
제 4 년분	금 액	150,000 원	2013년 12월 03일	납입
제 5 년분	금 액	105,000 원	2014년 12월 31일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.05.22	수리 (Accepted)	1-1-2008-0363993-49
2	선행기술조사의뢰서	2009.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2009.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2009-0023545-11
4	의견제출통지서	2010.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0040824-16
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.03.25	수리 (Accepted)	1-1-2010-0189099-67
6	[명세서등 보정]보정서	2010.03.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0189205-11
7	최후의견제출통지서	2010.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0291656-51
8	[명세서등 보정]보정서	2010.07.30	보정각하 (Rejection of amendment)	1-1-2010-0495600-98
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.07.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0495578-70
10	거절결정서	2010.11.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0495358-89
11	보정각하결정서	2010.11.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0495357-33
12	명세서 등 보정서(심사전치)	2010.11.30	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2010-0049465-10
13	등록결정서	2011.01.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0005342-80
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
15	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
16	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72
17	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88


과제고유번호	1415096052
세부과제번호	10027963
연구과제명	반도체2차원도펀트분포측정기술의표준화
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	한국표준과학연구원
성과제출연도	2008
연구기간	200606~200905
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020080047542]	2차원 도펀트이미징 공간분해능 기준 물질	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2017015422][한국표준과학연구원]	모노크로미터 및 이를 구비한 하전입자선 장치(Monochromator and Charged Particle Beam Instrument comprising the same)	새창보기
[KST2019028029][한국표준과학연구원]	적외선-전자 융합현미경	새창보기
[KST2015230933][한국표준과학연구원]	하전입자 현미경의 주사신호 제어 방법 및 이를 이용한 장치(Method for controlling scanning profile in Charged Particle Microscope and apparatus using thereof)	새창보기
[KST2015231162][한국표준과학연구원]	모노크로메이터 및 이를 구비한 하전입자빔 장치(MONOCHROMATOR AND CHARGED PARTICLE APPARATUS WITH THEREOF)	새창보기
[KST2015231039][한국표준과학연구원]	하전입자 빔 정렬 장치 및 이의 이용방법(APPARATUS FOR BEAM ALIGNMENT OF CHARGED PARTICLE BEAM AND METHOD FOR USING THEREOF)	새창보기
[KST2019028023][한국표준과학연구원]	고분해능 광-전자 융합현미경	새창보기
[KST2021002032][한국표준과학연구원]	맹수 눈 반사현상을 모사한 X선 검출장치	새창보기
[KST2015231165][한국표준과학연구원]	저탄소강 재질의 초고진공 진공챔버, 진공챔버 제작방법 및 이를 이용한 초고진공 하전입자빔 분석장비(MILD STEEL VACCUM CHAMBERS, MANUFACTUAL METHOD AND ULTRAHIGH VACUUM CHARGED PARTICLE ANALYSIS EQUIPMENT USING THEREOF)	새창보기
[KST2015179971][한국표준과학연구원]	입자빔의 방출 이미지 획득 장치 및 방법	새창보기
[KST2015179993][한국표준과학연구원]	마이크로 채널 판을 갖는 광검출기, 그 광검출기를 사용한 샘플 분석시스템, 그 광검출기를 이용한 광검출방법 및 샘플분석방법	새창보기
[KST2014052642][한국표준과학연구원]	입자복합특성측정장치	새창보기
[KST2014035727][한국표준과학연구원]	진공용 정전 렌즈	새창보기
[KST2014065940][한국표준과학연구원]	전수합산법을 이용한 이차이온질량분석법에 의한 다성분 합금 박막의 주성분 정량 및 조성깊이분포 분석법	새창보기
[KST2015180205][한국표준과학연구원]	주사전자현미경의 반사전자 검출기	새창보기
[KST2017015692][한국표준과학연구원]	모노크로미터 및 이를 구비한 전자선 손실분광 장치(Monochromator and Electron Energy Loss Spectroscopy comprising the same)	새창보기
[KST2020001842][한국표준과학연구원]	이차이온질량분석장비를 활용한 박막 두께 측정 방법	새창보기
[KST2014065867][한국표준과학연구원]	단면 원자간력 현미경 기술	새창보기
[KST2018006173][한국표준과학연구원]	교환가능한 전자현미경용 전자총 및 이를 포함하는 전자현미경(REPLACEABLE ELECTRON GUN FOR ELECTRON MICROSCOPE AND ELECTRON MICROSCOPE COMPRISING THE SAME)	새창보기
[KST2019028024][한국표준과학연구원]	시료고정부가 연속 배열된 시료스테이지를 포함하는 전자현미경	새창보기
[KST2016010128][한국표준과학연구원]	압전 고분자 필름의 상전이 측정을 위한 스트레칭 장치, XRD 시스템(APPARATUS FOR IN-SITU OBSERVATION OF PHASE TRANSITIONS OF PIEZOELECTRIC POLYMER FILMS DURING STRETCHING, XRD SYSTEM USING THEREOF)	새창보기
[KST2019012714][한국표준과학연구원]	전자 현미경용 대면적 그래핀 액상셀 및 그 제작 방법	새창보기
[KST2015179825][한국표준과학연구원]	질병 지표 검출 키트 및 질병 지표 검출 방법	새창보기
[KST2019028025][한국표준과학연구원]	진공척	새창보기

번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2010101009234	2010원9234	2008년 특허출원 제0047542호 거절결정불복	2010.11.30	2011.01.04

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.