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금속박막의 저온증착 방법

  • 기술번호 : KST2015179556
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기금속화합물 전구체와 아민화합물을 이용하여 저온의 기판 위에 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로는 하나 이상의 리간드와 배위 결합하는 금속을 포함하는 유기금속화합물 전구체를 아민화합물, 또는 아민화합물과 수소를 이용하여 저온의 기판 위에서 유기금속화합물 전구체의 리간드를 해리시켜 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. CVD, ALD, 화학기상증착, 원자층증착, 금속박막, β-디케토네이트
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020090029762 (2009.04.07)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1087718-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2010-0111375 (2010.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상우 대한민국 서울특별시 용산구
2 윤주영 대한민국 서울특별시 양천구
3 홍승수 대한민국 대전광역시 유성구
4 신용현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0207841-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074887-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0074181-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0252982-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0337271-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0337298-64
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478225-17
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.10.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0038919-24
10 등록결정서
Decision to grant
2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0648184-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 원자층증착법에 의한 금속 박막의 제조방법에 있어서, a) 기판에 하나 이상의 리간드에 배위 결합하는 금속을 포함하는 유기금속화합물 전구체를 함유하는 가스를 공급하는 단계; b) 불활성 가스로 퍼징(purging)하는 단계; c) 촉매로 기능하는 아민화합물 및 수소를 함유하는 가스를 공급하는 단계; 및 d) 불활성 가스로 퍼징(purging)하는 단계; 를 포함하며, 상기 a) 내지 d)를 일 싸이클로 하여, 상기 싸이클을 반복 수행하여 저온의 기판에 금속 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 저온은 상온 내지 150℃인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 유기금속화합물 전구체의 금속은 2족 내지 14족의 금속인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유기금속화합물 전구체의 금속은 Mg, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ce, Sm, Tb, Er, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Fe, Co, Ni, Ru, Ir, Rh, Cu, Al, Sn, W 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 리간드는 β-디케토네이트, 아민, 알콕사이드 및 탄화수소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 β-디케토네이트는 아세틸아세토네이트, 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 트리플루오로아세틸아세토네이트, 테트라메틸헵탄디오네이트, 플루오로디메틸옥탄디오네이트 및 헵타플루오로-디메틸옥탄디오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 아민화합물은 1급 아민 화합물, 2급 아민 화합물 및 3급 아민 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 아민화합물은 N,N-디메틸에틸아민, 에틸아민, 프로필아민, N,N-디메틸프로필아민, 부틸아민, N,N-디메틸부틸아민, 디에틸아민, N,N-디에틸메틸아민, 트리에틸아민, 시클로헥실아민, N-메틸시클로헥실아민, N,N-디메틸시클로헥실아민, 아닐린, N-메틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피페리딘, N-메틸피페리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 아민화합물은 트리에틸아민인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 제조방법
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.