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반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정방법

  • 기술번호 : KST2015179561
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조공정을 위한 화학물질의 증기상 순도 측정방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 전구체 시료의 석출 및 탈기를 제어하도록 단열격벽체로 격리된 내실에 등압유지챔버 및 압력 측정부를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정장치 및 그 방법에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 온도 변화에 따른 전구체 화학물질의 증기상 순도를 측정하고, 전구체 화학물질의 증기상 순도의 오차 범위를 줄여 정확한 수치를 측정하며, 전구체의 분해상태를 감시하며, 전구체 증기압 및 화학물질의 증기상 순도를 이용함으로써, 다양한 원료물질을 반도체 제조공정의 특성에 맞게 적절하게 선별하는 효과가 있다. 증기압, 순도, 화학물질, 전구체, 반도체
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01)
출원번호/일자 1020090024812 (2009.03.24)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1061421-0000 (2011.08.26)
공개번호/일자 10-2010-0106716 (2010.10.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤주영 대한민국 서울 양천구
2 강상우 대한민국 서울특별시 용산구
3 신용현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0176314-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077204-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0592279-78
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0127903-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0127902-29
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0417383-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
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번호 청구항
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등압유지챔버에 관연결된 제 1밸브를 열고 메인펌핑부를 가동시켜 기본압력을 발생시키는 단계(S100); 상기 제 1밸브를 닫고 제 2밸브를 열어 시료용기에서 시료의 증기를 압력측정부로 유입시키는 단계(S200); 상기 압력측정부에서 전구체의 포화증기압력을 측정하는 단계(S300); 및 상기 포화증기압력의 재현성 정도를 기준물질과 비교하여 증기상에서 전구체 순도를 판별하는 단계(S600)로 이루어지며, 상기 포화증기압력을 측정하는 단계와 전구체 순도를 판별하는 단계 사이에 상기 압력측정부에서 포화증기압력을 측정한 이후 정확한 측정을 위해 메인펌핑부 및 부설밸브를 열어 오염원을 제거하는 단계(S400);와 상기 제 1밸브를 닫고 상기 제 2밸브를 열어 시료의 증기를 상기 압력측정부로 유입시켜 같은 조건에서 2번째 포화증기압력을 재차 측정하는 단계(S500)를 더 포함하고, 상기 기본압력을 발생시키는 단계(S100)에서 상기 포화증기압력을 재차 측정하는 단계(S500)까지 반복하여 3회 이상 상기 포화증기압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정방법
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