1 |
1
제 1 실리콘 웨이퍼(110) 및 제 2 실리콘 웨이퍼(210) 상부에 각각 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 제 1-1 단계(S110);
상기 제 1 실리콘카바이드(120) 상부에 실리콘 산화막(130)을 증착하는 제 1-2 단계(S120);
상기 제 2 실리콘카바이드(220)와 상기 실리콘 산화막(130)의 접착력을 향상시키기 위해 상기 실리콘 산화막(130) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)의 상부에 각각 PSG를 증착하여 제 1 PSG막(140) 및 제 2 PSG막(240)을 형성하는 제 1-3 단계(S130);
상기 제 1 PSG막(140) 및 실리콘 산화막(130)의 상부면 일측에 소정 깊이의 홈(150)을 식각하는 제 1-4 단계(S140);
상기 제 1 PSG막(140)과 상기 제 2 PSG막(240)이 서로 대면하도록 한 뒤 접합하는 제 1-5 단계(S150); 및
상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 식각하는 제 1-6 단계(S160);를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
2 |
2
제 1항에 있어서,
상기 제 1-1 단계(S110)는 저압화학기상증착법에 의해 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 제 1-1 단계(S110)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120)의 상부면은 상기 실리콘 산화막(130)의 증착을 원활하게 하도록 하기 위하여 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 제 1-1 단계(S110)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)는 2500nm 내지 3500nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
5 |
5
제 1항에 있어서,
상기 제 1-2 단계(S120)는 상기 실리콘 산화막(130)을 2000nm 내지 3000nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
6 |
6
제 1항에 있어서,
상기 제 1-3 단계(S130)는 상기 제 1 PSG막(140)과 제 2 PSG막(240)을 80nm 내지 120nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
7 |
7
제 1항에 있어서,
상기 제 1-3 단계(S130)는 상기 제 1 PSG막(140)과 제 2 PSG막(240)의 접착력을 향상하기 위하여 상기 제 1 PSG막(140) 및 상기 제 2 PSG막(240)의 상부면을 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
8 |
8
제 1항에 있어서,
상기 제 1-4 단계(S140)는 상기 홈(150)을 복수로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
9 |
9
제 8항에 있어서,
상기 복수의 홈(150)은 규칙적인 격자형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
10 |
10
제 1항에 있어서,
상기 제 1-4 단계(S140)는 노광식각 및 습식 식각 중 적어도 하나를 이용하여 홈(150)을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
11 |
11
제 1항에 있어서,
상기 제 1-5 단계(S150)는 열압착하여 접합하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
12 |
12
제 1항에 있어서,
제 1-6 단계(S160)는 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 TMAH 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
13 |
13
제 1 실리콘 웨이퍼(110) 및 제 2 실리콘 웨이퍼(210) 상부에 각각 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 제 2-1 단계(S210);
상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220) 상부에 각각 제 1 실리콘 산화막(160) 및 제 2 실리콘 산화막(260)를 증착하는 제 2-2 단계(S220);
상기 제 1 실리콘 산화막(160)의 상부 일측에 소정 깊이의 홈(150)이 형성되도록 식각하는 제 2-3 단계(S230);
상기 제 1 실리콘 산화막(160)와 상기 제 2 실리콘 산화막(260)가 대면하도록 한 뒤 접합하는 제 2-4 단계(S240); 및
상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 식각하는 제 2-5 단계(S250);를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
14 |
14
제 13항에 있어서,
상기 제 2-1 단계(S210)는 저압화학기상증착법에 의해 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
15 |
15
제 13항에 있어서,
상기 제 2-1 단계(S210)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)의 상부면은 상기 제 1 실리콘 산화막(160) 및 제 2 실리콘 산화막(260)의 증착을 원활하게 하도록 하기 위하여 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
16 |
16
제 13항에 있어서,
상기 제 2-1 단계(S210)에서 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)는 2500nm 내지 3500nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
17 |
17
제 13항에 있어서,
상기 제 2-2 단계(S220)는 상기 제 1 실리콘 산화막(160) 및 상기 제 2 실리콘 산화막(260)의 원활한 접착을 위해 상부면을 Chemical-Mechanical Polishing하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
18 |
18
제 13항에 있어서,
상기 제 2-2 단계(S220)에서 상기 제 1 이산화 규소는 2000nm 내지 3000nm의 두께로 증착하고, 상기 제 2 실리콘 산화막(260)는 150nm 내지 250nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 압력센서의 제조방법
|
19 |
19
제 13항에 있어서,
상기 제 2-3단계(S230)는 상기 홈(150)을 복수로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
20 |
20
제 19항에 있어서,
상기 복수의 홈(150)은 규칙적인 격자형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
21 |
21
제 13항에 있어서,
상기 제 2-3 단계(S230)는 노광식각 및 습식 식각 중 적어도 하나를 이용하여 홈(150)을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
22 |
22
제 13항에 있어서,
상기 제 2-4 단계(S240)는 열압착하여 접합하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
23 |
23
제 22항에 있어서,
상기 열압착은 10-5mmHg 내지 10-7mmHg의 진공 조건에서, 300℃ 내지 400℃의 온도로 열압착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
24 |
24
제 13항에 있어서,
상기 제 2-5 단계(S250)는 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 TMAH 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
|
25 |
25
제 1항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서
|