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정전용량형 압력센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179564
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 실리콘 웨이퍼 및 제 2 실리콘 웨이퍼 상부에 각각 제 1 실리콘카바이드 및 제 2 실리콘카바이드를 증착하는 제 1-1 단계; 제 1 실리콘카바이드 상부에 저온 실리콘 산화막을 증착하는 제 1-2 단계; 제 2 실리콘카바이드와 저온 실리콘 산화막의 접착력을 향상시키기 위해 저온 실리콘 산화막 및 제 2 실리콘카바이드의 상부에 각각 PSG를 증착하여 제 1 PSG막 및 제 2 PSG막을 형성하는 제 1-3 단계; 제 1 PSG막 및 저온 실리콘 산화막의 상부면 일측에 소정 깊이의 홈을 식각하는 제 1-4 단계; 제 1 PSG막과 제 2 PSG막이 서로 대면하도록 하여 접합하는 제 1-5 단계; 및 제 2 실리콘 웨이퍼를 식각하는 제 1-6 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 고온압력센서의 제조방법 및 이에 의해 제조된 정전용량형 고온압력센서를 구현한다. 정전용량형, 고온압력센서, 실리콘카바이드, 저온 실리콘 산화막, 복수의 홈, 식각
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) G01L 9/12 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC G01L 9/12(2013.01) G01L 9/12(2013.01) G01L 9/12(2013.01) G01L 9/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090063362 (2009.07.13)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1051348-0000 (2011.07.18)
공개번호/일자 10-2011-0005966 (2011.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.13)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최인묵 대한민국 대전광역시 유성구
2 우삼용 대한민국 대전광역시 유성구
3 김용규 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0423087-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0067984-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0090094-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0276284-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0276285-17
7 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0298034-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 실리콘 웨이퍼(110) 및 제 2 실리콘 웨이퍼(210) 상부에 각각 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 제 1-1 단계(S110); 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 상부에 실리콘 산화막(130)을 증착하는 제 1-2 단계(S120); 상기 제 2 실리콘카바이드(220)와 상기 실리콘 산화막(130)의 접착력을 향상시키기 위해 상기 실리콘 산화막(130) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)의 상부에 각각 PSG를 증착하여 제 1 PSG막(140) 및 제 2 PSG막(240)을 형성하는 제 1-3 단계(S130); 상기 제 1 PSG막(140) 및 실리콘 산화막(130)의 상부면 일측에 소정 깊이의 홈(150)을 식각하는 제 1-4 단계(S140); 상기 제 1 PSG막(140)과 상기 제 2 PSG막(240)이 서로 대면하도록 한 뒤 접합하는 제 1-5 단계(S150); 및 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 식각하는 제 1-6 단계(S160);를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1-1 단계(S110)는 저압화학기상증착법에 의해 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1-1 단계(S110)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120)의 상부면은 상기 실리콘 산화막(130)의 증착을 원활하게 하도록 하기 위하여 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1-1 단계(S110)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)는 2500nm 내지 3500nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1-2 단계(S120)는 상기 실리콘 산화막(130)을 2000nm 내지 3000nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제 1-3 단계(S130)는 상기 제 1 PSG막(140)과 제 2 PSG막(240)을 80nm 내지 120nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제 1-3 단계(S130)는 상기 제 1 PSG막(140)과 제 2 PSG막(240)의 접착력을 향상하기 위하여 상기 제 1 PSG막(140) 및 상기 제 2 PSG막(240)의 상부면을 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 1-4 단계(S140)는 상기 홈(150)을 복수로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 복수의 홈(150)은 규칙적인 격자형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 제 1-4 단계(S140)는 노광식각 및 습식 식각 중 적어도 하나를 이용하여 홈(150)을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 제 1-5 단계(S150)는 열압착하여 접합하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 제 1-6 단계(S160)는 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 TMAH 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
13 13
제 1 실리콘 웨이퍼(110) 및 제 2 실리콘 웨이퍼(210) 상부에 각각 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 제 2-1 단계(S210); 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220) 상부에 각각 제 1 실리콘 산화막(160) 및 제 2 실리콘 산화막(260)를 증착하는 제 2-2 단계(S220); 상기 제 1 실리콘 산화막(160)의 상부 일측에 소정 깊이의 홈(150)이 형성되도록 식각하는 제 2-3 단계(S230); 상기 제 1 실리콘 산화막(160)와 상기 제 2 실리콘 산화막(260)가 대면하도록 한 뒤 접합하는 제 2-4 단계(S240); 및 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 식각하는 제 2-5 단계(S250);를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 제 2-1 단계(S210)는 저압화학기상증착법에 의해 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)를 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 제 2-1 단계(S210)는 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 상기 제 2 실리콘카바이드(220)의 상부면은 상기 제 1 실리콘 산화막(160) 및 제 2 실리콘 산화막(260)의 증착을 원활하게 하도록 하기 위하여 연마하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 제 2-1 단계(S210)에서 상기 제 1 실리콘카바이드(120) 및 제 2 실리콘카바이드(220)는 2500nm 내지 3500nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 제 2-2 단계(S220)는 상기 제 1 실리콘 산화막(160) 및 상기 제 2 실리콘 산화막(260)의 원활한 접착을 위해 상부면을 Chemical-Mechanical Polishing하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
18 18
제 13항에 있어서, 상기 제 2-2 단계(S220)에서 상기 제 1 이산화 규소는 2000nm 내지 3000nm의 두께로 증착하고, 상기 제 2 실리콘 산화막(260)는 150nm 내지 250nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 압력센서의 제조방법
19 19
제 13항에 있어서, 상기 제 2-3단계(S230)는 상기 홈(150)을 복수로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
20 20
제 19항에 있어서, 상기 복수의 홈(150)은 규칙적인 격자형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
21 21
제 13항에 있어서, 상기 제 2-3 단계(S230)는 노광식각 및 습식 식각 중 적어도 하나를 이용하여 홈(150)을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
22 22
제 13항에 있어서, 상기 제 2-4 단계(S240)는 열압착하여 접합하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
23 23
제 22항에 있어서, 상기 열압착은 10-5mmHg 내지 10-7mmHg의 진공 조건에서, 300℃ 내지 400℃의 온도로 열압착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
24 24
제 13항에 있어서, 상기 제 2-5 단계(S250)는 상기 제 2 실리콘 웨이퍼(210)를 TMAH 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서의 제조방법
25 25
제 1항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 정전용량형 압력센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.