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2차원 도펀트 이미징 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 정량화 방법

  • 기술번호 : KST2015179599
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2차원 도펀트 분포 이미징할 때 활성화된 도펀트 농도를 정량화하는 기준물질에 관한 것으로 특히, 전 도펀트 농도 구간에서 연속적으로 모든 측정 신호를 활성화된 도펀트 농도로 환산하여 정량화할 수 있도록 하는 도펀트 농도 정량화 기준물질에 관한 것이다.본 발명에 따른 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 표준측정방법은 실리콘 등의 반도체 기판에 서로 다른 깊이로 다른 도스량의 도펀트 임플랜테이션을 여러번 반복한 후에 열처리함으로써, 깊이 방향으로 도펀트 농도가 순차적으로 증가 또는 감소하면서 두 개 이상의 도펀트 농도 고점 피크와 도펀트 저점 피크를 구비하여, 이 도펀트 농도 피크를 기준으로 2차원 도펀트측정신호와 1차원 도펀트농도 프로화일을 비교하여, 전 도펀트 농도 구간에서 모든 측정신호를 도펀트 농도로 연속적으로 변환하여 정량화할 수 있는 단결정 기준시료 및 그를 이용한 2차원 도펀트 농도 측정방법에 관한 것이다.도펀트, 정량화, 전기주사현미경, 기준물질
Int. CL G01N 1/00 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01N 1/28(2013.01) G01N 1/28(2013.01) G01N 1/28(2013.01)
출원번호/일자 1020090101972 (2009.10.26)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1197130-0000 (2012.10.29)
공개번호/일자 10-2011-0045408 (2011.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김달현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655744-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0049913-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0480997-27
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0828277-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0828268-88
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0163039-56
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0281466-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0281423-74
10 등록결정서
Decision to grant
2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0627604-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도펀트를 여러번 임플랜테이션(implantation)(10)하고 열처리(20)한 반도체 기판인 2차원 도펀트이미징 도펀트 농도 정량화 기준물질로서, 상기 기판은 도펀트가 이미 활성화되어 있는 반도체 단결정 웨이퍼이고, 상기 도펀트 농도는 깊이 방향으로 감소하며, 상이한 두 개 이상의 도펀트 농도 피크(30)를 가짐으로써, 상기 도펀트 농도 피크를 기준으로 위치를 맞춘 후에, 2차원 도펀트 측정 신호와 1차원 도펀트 농도 프로화일을 비교하여, 전 도펀트 농도 구간에서 모든 2차원 도펀트 측정신호를 도펀트 농도로 변환하여 정량화하는데 사용되는 다중 임플랜테이션 2차원 도펀트 정량화 기준물질
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘웨이퍼인 다중 임플랜테이션 2차원 도펀트 정량화 기준물질
4 4
기판에 서로 다른 농도로 도펀트를 여러번 임플랜테이션(10)하여 열처리(20)하여 제조되는 단결정웨이퍼로, 상기 도펀트 농도가 깊이 방향으로 감소하며 상이한 2개 이상의 농도 피크(30)를 가지는 기준물질로부터 2차원 도펀트의 시그널 프로파일을 얻는 단계; 측정대상 시료의 1차원 측정 신호 프로파일을 얻는 단계;기준물질의 프로파일과 1차원 시료의 측정 프로파일의 신호를 비교하고, 이로부터 1차원 시료의 신호프로파일을 2차원 농도 프로파일로 변환하는 단계;를 포함하는 다중 임플랜테이션 2차원 도펀트 정량화 기준물질을 이용한 시료의 1차원 측정 시그널을 2차원 도펀트 농도로 변환하는 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판이 실리콘웨이퍼인 다중 임플랜테이션 2차원 도펀트 정량화 기준물질을 이용한 시료의 1차원 측정 시그널을 2차원 도펀트 농도로 변환하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술개발(산자부) 한국표준과학연구원 국가연구개발사업 반도체 2차원 도펀트 분포측정 기술의 표준화