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광을 P파와 S파의 조합으로 이루어진 선편광을 발생시키고, 상기 선편광을 위상지연하여 타원 편광 입사광을 제공하는 타원 편광 제공부;상기 타원 편광 제공부에서 발생된 상기 타원 편광 입사광이 입사되고, 상기 타원 편광 입사광에 의해 표면 플라즈몬 공명이 여기되고, 표면 플라즈몬 소장 장 내에 시료를 포함하며, 상기 타원 편광 입사광이 반사되어 시료의 특성에 따라 편광된 반사광을 방출하는 표면 플라즈몬 공명 센서; 및상기 플라즈몬 공명 센서에서 방출된 상기 반사광이 입사되고, 상기 시료의 형상 및 상기 플라즈몬 공명 센서의 공명 조건의 변화를 관찰할 수 있도록 상기 반사광을 검출하는 검출수단;을 포함하고, 상기 타원 편광 제공부는, 광원; 상기 광원에서 방출된 광을 P파와 S파의 조합으로 이루어진 상기 선편광을 발생시키는 편광기; 및 상기 편광기에서 방출된 상기 선편광을 위상지연하여 상기 타원 편광 입사광을 형성하는 위상지연수단을 포함하며, 상기 표면 플라즈몬 공명 센서는, 입사면에서 상기 타원 편광 입사광이 입사되며, 반사면에서 상기 타원 편광 입사광이 반사되어, 방사면으로 상기 반사광을 방출하는 프리즘; 및 상기 반사면 하부에 위치하고, 상기 프리즘에 입사된 타원 편광 입사광에 의해 표면 플라즈몬 공명이 여기되는 금속박막;을 포함하고,상기 시료는, 배양수에 존재하고, 상기 금속박막 하면에 부착된 기질과 복수의 세포부착에 의해 상기 기질과 연결된 세포를 포함하며, 상기 위상지연수단은, 빠른축을 기준으로 느린 축의 편광성분의 위상을 λ/4 만큼 지연시키고, 상기 표면 플라즈몬 공명 센서는, 상기 반사면과 상기 금속박막 사이에 평판형 투명 유전체 기판을 더 포함하고, 상기 타원 편광 입사광은 상기 금속박막과 상기 평판형 투명 유전체 기판의 경계면에서 반사되며, 상기 금속박막은, 외부 자극에 의해 전자의 방출이 쉽고, 음의 유전상수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서, 상기 타원 편광 제공부는, 상기 타원 편광 입사광을 상기 표면 플라즈몬 센서의 표면 플라즈몬 공명각도에 맞추어 제공되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서, 상기 반사광은 시료의 특성에 따라 선편광 또는 타원 편광이고,상기 검출수단은, 상기 반사면에서 반사된 상기 반사광의 상기 선편광을 소거시키는 검광자; 및상기 검광자에서 소거된 잔여 반사광을 측정하여 시료의 형상을 관찰 및 분석하는 디텍터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서, 상기 광원은, 텅스텐-할로겐 램프, 레이저 또는 LED인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 5 항에 있어서, 상기 검광자 전단에 구비되고, 상기 반사광이 입사되는 대물렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서, 상기 프리즘은 삼각 기둥 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서, 상기 프리즘과 상기 평판형 투명 유전체 기판은 동일한 소재로 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 1 항에 있어서,상기 프리즘 및 상기 평판형 투명 유전체 기판은, 상기 배양수보다 고 굴절률을 갖는 투명한 광학 폴리머로 구비된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 5 항에 있어서, 선편광 또는 타원편광 상기 반사광은 상기 기질과 세포를 연결하는 상기 세포부착의 위치정보와 물성정보를 갖고, 상기 디텍터는,상기 반사광을 상기 타원 편광 입사광이 반사되는 지점별 위치에 기초하여 결상면에 각축방향을 따라 결상시키는 광검지 수단; 및 상기 광검지 수단으로부터 전송되는 데이터를 기초로 상기 지점별 위치에 상응하는 타원 계측각과 상기 표면 플라즈몬 공명 조건의 변화를 산출하여 상기 세포부착의 위치 및 시료의 형상을 관찰하도록, 상기 광검지 수단에 전기적으로 연결되는 컴퓨터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제 14 항에 있어서, 상기 광검지 수단은 CCD형 고체촬상소자인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기
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제1항의 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측기를 이용한 표면 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법에 있어서, 광원에서 발생된 광이 편광기에 입사되어 입사된 광을 P파 및 S파의 조합으로 이루어진 선편광을 발생시키는 단계;상기 S파를 위상지연수단에 의해 위상지연하여 타원 편광 입사광을 발생시키는 단계; 상기 타원 편광 입사광이 플라즈몬 공명 센서의 프리즘 입사면에 입사되어 굴절되고, 배양수에 존재하는 시료 상부에 위치한 금속박막에 반사되어 표면 플라즈몬 공명이 여기되고, 시료의 물성에 따라 편광된 반사광을 프리즘의 방사면으로 방출시키는 단계;상기 반사광을 검광자에 의해 선편광하여 선편광 반사광을 발생시키는 단계; 및 검출수단이 상기 선편광 반사광을 상기 타원 편광 입사광이 반사되는 지점 위치에 기초하여 결상면의 각축방향을 따라 결상시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법
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제 16 항에 있어서, 상기 타원 편광 입사광은 상기 표면 플라즈몬 센서의 표면 플라즈몬 공명각도에 갖추어 입사되는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법
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제 16 항에 있어서, 상기 타원 편광 입사광 발생 단계는, 상기 S파의 위상지연시키는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법
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제 16 항에 있어서, 상기 금속박막은 외부자극에 의해 전자의 방출이 쉽고, 음의 유전상수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법
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제 16 항에 있어서, 배양수에 존재하는 상기 시료는 상기 금속박막 하면에 부착된 기질과 복수의 세포부착에 의해 상기 기질과 접합된 세포를 포함하고, 상기 결상 단계는,광검지수단이 상기 선편광 반사광을 상기 타원 편광 입사광이 반사되는 지점별 위치에 기초하여 결상면이 각축방향을 따라 결상시키는 단계; 및컴퓨터가 상기 광검지 수단으로부터 전송되는 데이터를 기초로 상기 지점별 위치에 상응하는 타원계측각과 표면 플라즈몬 공명 변화를 산출하여 상기 기질에 접합된 세포부착의 위치, 형상 및 시료의 형상을 관찰하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 공명 결상 타원 계측방법
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