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반도체 표면 검사장치 및 이를 이용한 반도체의 절연층에 형성된 핀홀 검사방법

  • 기술번호 : KST2015179642
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판에 절연층이 형성된 반도체 시료가 안착되는 고정판과, 상기 고정판과 이격 형성되고 상기 고정판과 마주보는 면에 하나 이상의 전극이 형성된 투명기판과, 상기 투명기판의 상부에서 광을 조사하는 광원과, 상기 반도체 시료와 상기 전극에 전압차를 발생시키는 전압원, 및 상기 반도체 시료와 전극 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하되,상기 전극은 상기 절연층에 형성된 복수 개의 핀홀과 각각 대응되는 크기로 형성되고 순차적으로 전원이 인가되는 반도체 표면 검사장치 및 이를 이용한 반도체 표면의 핀홀 검사방법에 관한 것이다.본 발명은 반도체의 도핑 농도, 절연층의 결함 및 절연층에 형성된 핀홀의 유무에 대하여 신속하고 간편하게 검사가 가능하여 반도체 제조 공정 단계에서 반도체 소자의 불량 여부를 초기에 판단할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01N 21/958(2013.01) G01N 21/958(2013.01) G01N 21/958(2013.01)
출원번호/일자 1020100039570 (2010.04.28)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1126218-0000 (2012.03.06)
공개번호/일자 10-2011-0120064 (2011.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진태 대한민국 대전광역시 유성구
2 강상우 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤주영 대한민국 서울특별시 양천구
4 신용현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0275955-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052753-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0387999-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0712707-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0712699-11
7 등록결정서
Decision to grant
2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0121885-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판에 절연층이 형성된 반도체 시료가 안착되는 고정판;상기 고정판과 이격 형성되고 상기 고정판과 마주보는 면에 하나 이상의 전극이 형성된 투명기판;상기 투명기판의 상부에서 광을 조사하는 광원;상기 반도체 시료와 상기 전극에 전압차를 발생시키는 전압원; 및상기 반도체 시료와 전극 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류측정기;를 포함하되,상기 전극은 상기 절연층에 형성된 복수 개의 핀홀과 각각 대응되는 크기로 형성되고 순차적으로 전원이 인가되는 반도체 표면 검사장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 광원에서 방출되는 광은 반도체 시료 내에 전자가 여기될 수 있는 에너지를 갖는 반도체 표면 검사장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 전극은 투명전극인 반도체 표면 검사장치
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
반도체 기판에 절연층이 형성되고 상기 절연층에는 복수 개의 핀홀이 형성된 반도체 시료를 준비하고 제1항의 반도체 시료 검사장치의 고정판에 상기 반도체 시료를 고정하는 준비단계;상기 반도체 시료에 광을 조사하여 전자를 여기시키는 광 조사단계;상기 조사된 광에 의해 반도체 시료에서 여기된 전자를 상기 전극에 집속시켜 도선을 따라 이동하게 하는 전류 생성단계; 및상기 전류를 측정하여 반도체 시료의 핀홀의 형성 여부를 판단하는 검사단계를 포함하는 반도체 표면의 핀홀 검사방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 전극은 상기 각각의 핀홀과 대응되는 위치에 형성되고, 상기 핀홀의 지름과 대응되는 크기를 갖는 반도체 표면의 핀홀 검사방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 광 조사단계에서 광원에서 방출되는 광은 상기 반도체 시료에서 전자가 여기될 수 있는 에너지를 갖고 상기 반도체 시료에 균일하게 조사되는 반도체 표면의 핀홀 검사방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 광 조사단계에서 방출되는 광원은 반도체 시료의 국소적인 범위로 광을 집광하고 이동가능하도록 구성된 반도체 표면의 핀홀 검사방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.