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반도체 양자점 감응형 태양전지의 제조방법에 있어, 기판 상부에 4족 원소 및 InP를 함유하는 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층이 형성된 기판을 열처리하여 In(Indium)을 제거하고 P(phosphorus)가 도핑된 4족 원소 양자점인 n형 반도체 양자점을 형성하는 양자점 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 반도체층은 4족 원소; 또는 4족 원소의 화합물;에 상기 InP가 물리적으로 도핑된 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 반도체층은 InP가 도핑된 비정질상(amorphous phase)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 반도체층은 InP가 도핑된 4족 원소의 박막, InP가 도핑된 4족 원소 질화물의 박막, InP가 도핑된 4족 원소 산화물의 박막, 또는 이들의 적층박막인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 4족 원소 및 InP를 함유하는 반도체층은 물리적 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 물리적 증착은 스퍼터링(sputtering)이며, 상기 스퍼터링은 4족 원소의 타겟; 및 InP 타겟;을 이온빔으로 동시스퍼터링하여 증착하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,a) p형 반도체 기판 상부에 매질층과 상기 반도체층을 교번 적층하여 복합적층층을 형성하는 단계; b) 상기 복합적층층을 열처리하여 반도체질화물, 반도체산화물 또는 이들의 혼합물인 매질 내 P(phosphorus) 도핑된 반도체 양자점을 형성하는 단계; 및c) 수소분위기에서 열처리하여 상기 P(phosphorus) 도핑된 반도체 양자점의 비결합 전자를 수소와 결합시키는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 반도체층은 InP가 도핑된 4족 원소의 박막, InP가 도핑된 4족 원소 질화물의 박막, InP가 도핑된 4족 원소 산화물의 박막, 또는 이들의 적층박막이며, 상기 매질층은 상기 반도체층과 독립적으로 4족 원소의 질화물, 4족 원소의 산화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 매질층 및 상기 반도체층의 두께는 서로 독립적으로 0
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제 1항 또는 제 7항에 있어서,상기 양자점 형성 단계 이후, 상기 기판 및 상기 n형 반도체 양자점을 사이에 두고 서로 대향하며, 적어도 한 전극은 투명전극인 두 전극을 형성하는 전극 형성 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 n형 반도체 양자점과 상기 투명전극 사이에 3족 또는 5족 원소가 도핑된 다결정체의 4족 반도체층인 다결정반도체층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 900 내지 1150℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 4족 원소는 Si 및 Ge에서 하나 이상 선택된 원소인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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