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웨이퍼 가공 방법과 그 장치

  • 기술번호 : KST2015179662
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 가공 방법에 관한 것으로, 특히 초고속 레이저를 이용하여 웨이퍼를 가공하되 가공된 부위의 강도 저하를 방지할 수 있는 웨이퍼 가공 방법과 그 장치에 관한 것이다.보다 구체적으로는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법은, 초고속 레이저를 이용하여 웨이퍼를 가공하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 가공할 때 발생한 열에너지를 상쇄하기 위해, 단열 팽창에 의해 냉각된 가스를 상기 웨이퍼의 표면에 분사하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01)
CPC H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01)
출원번호/일자 1020100085412 (2010.09.01)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0022169 (2012.03.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110143308;
심사청구여부/일자 Y (2010.09.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정세채 대한민국 대전광역시 유성구
2 이흥순 대한민국 대전광역시 중구
3 양지상 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0567841-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0077219-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0551393-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0938100-29
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1038830-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1038812-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1038857-20
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0216895-33
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0381565-61
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0381554-69
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0349621-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
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번호 청구항
1 1
초고속 레이저를 이용하여 웨이퍼(10)를 가공하는 방법에 있어서,상기 웨이퍼(10)를 가공할 때 발생한 열에너지를 상쇄하기 위해, 단열 팽창에 의해 냉각된 가스를 상기 웨이퍼(10)의 표면에 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼(10)의 표면에 분사되는 가스는 질소 또는 이산화탄소 가스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법
3 3
지지대(110);상기 지지대(110)에 고정되어 유동하는 이송체(120);상기 이송체(120)의 상단에 결합되어 상기 이송체(120)와 일체로 유동하며, 웨이퍼(10)를 고정시키는 거치대(130);상기 지지대(110)에 고정되어 상기 웨이퍼(10)의 표면에 레이저파를 조사하여 가공하는 가공 유닛(140);을 포함하되,상기 가공 유닛(140)에는 가공에 의해 발생된 열에너지를 상쇄하기 위해 상기 웨이퍼(10)의 표면에 단열 팽창으로 냉각된 가스를 분사하는 가스 분사부(141)가 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 장치
4 4
초고속 레이저를 이용하여 웨이퍼(10)를 가공하는 방법에 있어서,상기 웨이퍼(10)를 가공할 때 발생한 열에너지를 상쇄하기 위해, 상기 웨이퍼(10)를 고정시키는 거치대(130)를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 거치대(130)에는 냉매가 유동할 수 있는 냉매 유동관(131)이 구비되어,상기 냉매 유동관(131)을 유동하는 냉매에 의해 상기 거치대(130)가 냉각되고,냉각된 상기 거치대(130)에 고정된 상기 웨이퍼(10)에 발생된 열에너지가 상쇄되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법
6 6
지지대(110);상기 지지대(110)에 고정되어 유동하는 이송체(120);상기 이송체(120)의 상단에 결합되어 상기 이송체(120)와 일체로 유동하며, 웨이퍼(10)를 고정시키는 거치대(130);상기 지지대(110)에 고정되어 상기 웨이퍼(10)의 표면에 레이저파를 조사하여 가공하는 가공 유닛(140);을 포함하되,상기 거치대(130)에는 상기 웨이퍼(10)의 가공에 의해 발생된 열에너지를 상쇄하기 위해 냉매가 유동할 수 있는 냉매 유동관(131)이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 장치
7 7
초고속 레이저를 이용하여 웨이퍼(10)를 가공하는 방법에 있어서,상기 웨이퍼(10)를 가공할 때 열에너지가 적게 발생하도록 하기 위해,상기 웨이퍼(10)의 가공시 변화되는 상대 온도(Tr)가 상기 웨이퍼(10)의 강도변이 발생 온도(Tc)보다 작게 유지되는 레이저의 주파수 범위를 산출하고, 산출된 주파수 범위내의 레이저가 조사되도록 상기 웨이퍼(10)가 고정된 이송체(120)를 작동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101164789 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 한국표준과학연구원 국가연구개발사업 펨토초레이저 기반 신생혈관 제거수술기 및 응용기술개발
2 기본사업 한국표준과학연구원 기관고유사업 첨단산업측정장치 핵심요소기술개발