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초전도 소자의 포토리소그라피 방법

  • 기술번호 : KST2015179734
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초전도 소자의 제조에 필요한 포토리소그라피 방법에 관한 것으로서, 포토마스크를 통한 기판 가장자리의 선택적 노광현상을 이용하여 기판 가장자리에 생기는 에지비드에 의한 회절현상을 제거하고, 금속반사막을 증착하여 투명한 기판 아랫면의 반사로 인한 패터닝 부정확성을 개선하며, 포토레지스트의 표면에 경화막을 선택적으로 형성하는 방법을 통해 식각조건에 알맞는 포토레지스트의 상태를 제공할 수 있도록 함으로써, 초전도 소자 제조시 패턴형성의 정확성을 높이고 에칭 프로파일을 원하는 모양으로 생성시킬 수 있으며, 이에 따라 소자 제조의 신뢰성과 재현성을 획기적으로 높이고 제조된 소자의 특성을 개선시킬 수 있도록 한 초전도 소자의 포토리소그라피 방법을 제공하고자 한 것이다. 초전도 소자, 포토리소그라피, 포토레지스트, 포토마스크, 패턴
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01)
출원번호/일자 1020010009786 (2001.02.26)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0310978-0000 (2001.09.21)
공개번호/일자 10-2001-0070533 (2001.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20011012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-1998-0047999 (1998.11.10)
관련 출원번호 1019980047999
심사청구여부/일자 Y (2001.02.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용호 대한민국 대전광역시유성구
2 김인선 대한민국 대전광역시유성구
3 박용기 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 분할출원서
Divisional Application		 2001.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0041815-15
2 등록결정서
Decision to grant		 2001.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0243700-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
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번호 청구항
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초전도 소자의 제조를 위한 포토리소그라피 방법에 있어서,

건식식각을 이용한 패터닝시 포토레지스트를 식각마스크로 사용하는 경우 현상된 포토레지스트를 100∼170℃의 온도에서 10분간 베이킹하여 흘러내림 현상으로 인한 포지티브슬루프가 형성될 수 있도록 하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법

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1 KR100310937 KR 대한민국 FAMILY
2 KR100310942 KR 대한민국 FAMILY
3 KR100310943 KR 대한민국 FAMILY

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