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메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015179735
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 메모리 소자부에 상전이 제어 이온 또는 원자를 임플란트하여 메모리 소자부를 제어할 수 있도록 한다.즉 메모리에서 사용되는 상전이 물질에 상전이를 제어하는 이온 또는 원자를 임플란트함으로써 상전이시 결정의 크기가 증가하지 않으며, 그 결과 부피가 증가하지 않고, 상전이 물질의 표면도 거칠어지지 않는다. 그 결과 상전이 물질 외부에 압력이 가해지지 않아 메모리의 특성이 향상된다.상전이, 메모리, 상전이 제어, 이온 임플란트, 원자 임플란트
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020050023595 (2005.03.22)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0694188-0000 (2007.03.06)
공개번호/일자 10-2006-0101950 (2006.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영국 대한민국 서울 송파구
2 조만호 대한민국 대전 서구
3 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산구
4 정광호 대한민국 경기 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0149768-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060131-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0549166-92
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0855356-68
7 의견서
Written Opinion		 2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0855354-77
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0101940-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상전이 화합물을 포함하는 메모리 소자부를 포함하며,상기 상전이 화합물에는 상기 상전이 화합물의 상전이를 제어하기 위한 이온 또는 원자가 임플란트되어 있으며,상기 상전이 화합물은 칼코겐 화합물이며,상기 이온 또는 원자는 Ge, N, Sb, Te, O, Sn, Bi 중 하나인 메모리
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 칼코겐 화합물은 Ge, Sb, Te를 포함하는 화합물인 메모리
4 4
제3항에서,상기 Ge, Sb, Te를 포함하는 화합물은 Ge2Sb2Te5 인 메모리
5 5
삭제
6 6
상전이 화합물을 포함하는 메모리 소자부를 포함하며,상기 상전이 화합물에는 상기 상전이 화합물의 상전이를 제어하기 위한 이온 또는 원자가 임플란트되어 있으며,상기 상전이 화합물은 Ag, In, Sb, Te를 포함하며,상기 이온 또는 원자는 Ag, In, Sb, Te 중 하나인 메모리
7 7
삭제
8 8
칼코겐 화합물을 이용하여 메모리를 제조하는 방법에 있어서,칼코겐 화합물로 상전이 화합물을 형성하는 단계, 및 상기 칼코겐 화합물로 형성된 상전이 화합물에 상전이 제어 이온 또는 원자를 임플란트하는 단계를 포함하며,상기 상전이 제어 이온 또는 원자는 Ge, N, Sb, Te, O, Sn, Bi 중 하나인 메모리 제조 방법
9 9
제8항에서,상기 칼코겐 화합물은 Ge2Sb2Te5 인 메모리 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제8항에서,상기 칼코겐 화합물에 상전이 제어 이온 또는 원자를 임플란트하는 단계는 상기 칼코겐 화합물의 표면에 플라즈마 처리를 행하는 단계와 함께 수행하는 메모리 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.