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기판 홀더를 가열하고 기판 홀더에 기판을 장착하는 단계;Bi(C2H5)2 전구체(precusor)를 기화시키는 단계;Te(t-Bu)2 전구체를 기화시키는 단계;상기 기화된 Bi(C2H5)2 전구체 및 상기 기화된 Te(t-Bu)2 전구체를 처리용기 내부로 유동시키는 단계; 가스 분배 플레이트를 통하여 상기 기화된 Bi(C2H5)2 전구체 및 상기 기화된 Te(t-Bu)2 전구체를 상기 기판에 유동시키는 단계; 및상기 기판 상에 Bi2Te3가 증착되는 단계를 포함하고,상기 기판 또는 상기 기판 홀더의 온도는 섭씨 330 도 내지 섭씨 370 도이고, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 열전박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 처리용기에 수소 가스(H2) 및 아르곤 가스(Ar) 중에서 적어도 하나를 포함하는 세정 가스를 공급하고, 상기 가스 분배 플레이트에 RF 전력을 인가하여 상기 처리 용기를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 Bi(C2H5)2 전구체(precusor)를 담고 있는 제1 버블러의 온도는 섭씨 20 도이고, 상기 Te(t-Bu)2 전구체를 담고 있는 제2 버블러의 온도는 섭씨 30 도 인 것을 특징으로 하는 열전박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 가스 분배 플레이트의 온도는 섭씨 40 도 이고, 상기 Bi(C2H5)2 전구체 및 상기 Te(t-Bu)2 전구체를 처리용기 내부로 유동시키는 운송관의 온도는 섭씨 40 도 인 것을 특징으로 하는 열전박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 Bi(C2H5)2 전구체(precusor) 및 상기 Te(t-Bu)2 전구체의 운송 가스(Carrier Gas)는 질소 가스 또는 아르곤 가스인 것을 특징으로 하는 열전박막의 형성 방법
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처리 영역을 형성하는 처리 용기;상기 처리 용기의 내부에 배치된 기판 홀더;Bi(C2H5)2 전구체(precusor)를 담고 있는 제1 버블러;Te(t-Bu)2 전구체를 담고 있는 제2 버블러;상기 제1 버플러에서 기화된 Bi(C2H5)2 전구체 및 상기 제2 버플러에서 기화된 Te(t-Bu)2 전구체를 처리 용기에 운송하는 운송관; 및상기 운송관을 통하여 상기 처리 용기의 내부에 배치되어 기화된 전구체들을 기판에 제공하는 가스 분배 플레이트를 포함하고,상기 Bi(C2H5)2 전구체 및 Te(t-Bu)2 전구체는 상기 기판 상에 Bi2Te3 박막을 형성하고
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제7 항에 있어서,상기 가스 분배 플레이트에 RF 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하는 RF 전력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 제조 장치
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제7 항에 있어서,상기 기판 홀더는 가열부를 포함하고, 상기 기판 홀더는 섭씨 300 도 내지 섭씨 400 도로 유지되는 것을 특징으로 하는 열전박막 제조 장치
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