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MEMS소자(230) 제작 공정 중 습식식각을 위한 단면 습식식각장치(10)에 있어서,경면 처리된 기판의 양면에 SiN 또는 Si3N4의 박막이 증착된 식각보호기판(100);상기 식각보호기판(100)의 일측면에 밀착되어 설치되며, 초전도 금속회로(240)가 형성된 소자가 제작되는 MEMS기판(200);상기 식각보호기판(100)과 밀착되는 상기 MEMS기판(200)의 일측면과 반대되는 타측면에 밀착되어 결합되는 제1지그(300);상기 MEMS기판(200)과 밀착되는 상기 식각보호기판(100)의 일측면과 반대되는 타측면에 밀착되며, 고정수단(310)에 의해 상기 제1지그(300)와 결합되는 제2지그(400); 을 포함하여 형성되되,상기 제1지그(300) 및 제2지그(400)는 서로 마주보는 일측면에 상기 식각보호기판(100) 및 MEMS기판(200)의 둘레면보다 작은 제1실링부재(610)가 구비되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 1항에 있어서,상기 제1지그(300) 또는 제2지그(400) 중 어느 하나는상기 식각보호기판(100) 및 MEMS기판(200)의 둘레면보다 큰 제2실링부재(620)가 상기 제1실링부재(610)와 동일면에 일정거리 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 2항에 있어서,상기 제1지그(300) 및 제2지그(400)는테프론 재질로 제작되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 3항에 있어서,상기 식각보호기판(100)은양측 면에 증착된 SiN 또는 Si3N4의 박막의 두께가 0
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제 4항에 있어서,상기 단면 습식식각장치(10)는상기 제1지그(300) 및 제2지그(400)의 일정 영역 중공되어 형성되는 고정홀(320)이 서로 마주보는 위치에 각각 형성되고,상기 제1지그(300) 및 제2지그(400)가 서로 결합되도록 상기 고정수단(310)이 상기 고정홀(320)에 삽입되어 고정되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 5항에 있어서,상기 단면 습식식각장치(10)는상기 제1지그(300) 또는 제2지그(400) 중 어느 하나의 둘레면에 바깥방향으로 돌출되어 손잡이(500)가 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각보호기판(100)은S11) 기판의 양측 면이 경면처리 되는 단계;S12) 기판의 경면처리 단계에서 사용된 왁스가 완전히 제거되는 단계;S13) 기판의 양측 면에 LPCVD 방법으로 SiN 또는 Si3N4 박막이 증착되는 단계; 를 순차적으로 거쳐 제작되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 7항에 있어서,상기 MEMS 기판(200)은S21) 기판의 일측면에 SiO2가 증착되는 단계;S22) 기판의 양측 면에 LPCVD 방법으로 SiN 또는 Si3N4가 증착되는 단계;S23) SiO2가 증착된 기판 일측면의 SiN 또는 Si3N4이 식각되는 단계;S24) SiN 또는 Si3N4가 식각된 기판 일측면에 MEMS소자(230) 패턴이 형성되는 단계;S25) 상기 MEMS소자(230) 패턴 위에 초전도 금속회로(240) 형성 후, SiO2가 증착되는 단계; 를 순차적으로 거쳐 제작되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 8항에 있어서,상기 MEMS소자(230) 패턴 위에 초전도 금속회로(240) 형성 후, SiO2 증착하는 단계(S25)는150℃ 미만의 온도 환경에서 SiO2가 증착되는 것을 특징으로 하는 초전도 금속회로 보호를 위한 단면 습식식각장치
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제 8항 또는 9항 중 어느 한 항에 의한 단면 습식식각장치(10)를 이용한 습식식각방법은S31) 상기 제1지그(300) 및 제2지그(400) 사이에 식각보호기판(100) 및 MEMS기판(200)이 밀착되어 결합되는 단계;S32) 상기 MEMS기판(200)에서 MEMS소자(230) 패턴이 형성되지 않는 일측면의 Si가 식각되는 단계;S33) 상기 MEMS기판(200)에서 MEMS소자(230) 패턴이 형성된 일측면의 SiO2 식각 후, 알코올 치환하는 단계;S34) 상기 S31)~S33) 단계를 통해 형성된 MEMS소자(230)를 건조하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 단면 습식식각장치를 이용한 습식식각방법
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