맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금 나노입자 마스크를 이용한 나노구조를 갖는 표면 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179798
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소수성 표면을 갖는 박막의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 기판 상에 고분자 박막을 형성하고, 이를 자외선에 노출시켜 경화하고, 상기 경화된 고분자 박막을 플라즈마로 처리한 후 표면 개질함으로써 금 나노입자가 박막에 고착될 수 있도록 한 다음, 상기 금 나노입자가 고착된 박막을 이온반응식각(RIE)함으로써 초소수성 표면 박막을 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C09K 3/18 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01)
CPC C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01)
출원번호/일자 1020100139854 (2010.12.31)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0077773 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.31)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤완수 대한민국 대전광역시 서구
2 이초연 대한민국 경기도 이천시
3 윤석본 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0879218-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0013424-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0434550-55
5 보정요구서
Request for Amendment		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0434547-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0720899-13
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0720859-97
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0856569-51
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0856514-51
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0966824-02
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0966829-29
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1083674-51
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1083654-48
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0321734-77
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0321733-21
16 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.06.10 수리 (Accepted) 7-1-2013-0023121-36
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.07.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0624068-04
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0624077-15
19 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0559499-01
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0923408-15
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0923406-13
22 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0896422-67
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 스핀코팅을 하여 균일한 고분자 박막을 형성한 후, 이를 자외선에 노출시켜 고분자 박막을 경화하는 단계;b) 상기 a)단계를 거친 고분자 박막을 산소 플라즈마로 처리한 후 표면 개질하는 단계; c) 상기 표면 개질된 고분자 박막을 금 나노입자 용액에 침지시켜 금 나노입자를 고분자 박막 표면상에 고착시키는 단계; 및 d) 상기 표면상에 금 나노입자가 고착된 고분자 박막을 이온반응식각(RIE)하한 후 표면상에 존재하는 금 나노입자를 제거하고 증류수로 세척하는 단계;를 포함하는 초소수성 표면 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금 나노입자 용액은 증류수에 사염화금산(HAuCl43H2O) 및 시트르산나트륨(trisodium citrate dehydrate)을 혼합한 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 사염화금산(HAuCl43H2O) 및 시트르산나트륨(trisodium citrate dehydrate)의 혼합 몰비는 1:1~1:2인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 d)단계의 고분자 기판 표면상에 고착되는 금 나노입자의 개수 밀도(number density)는 250~600 ㎛-2 이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면박막 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자는 퍼플르오로폴리에테르 비스우레탄메타클레이트(perfluoropolyether bisurethane methacrylate)인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금 나노입자의 직경은 30~60 nm인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 a)단계의 스핀코팅으로 형성된 고분자 박막에 마이크로 구조물을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 마이크로 구조물 층은 고분자 기판 상에 1~100 ㎛ 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 b) 단계의 표면 개질은 플라즈마 처리한 기판을 메탄올, 아세트산 수용액 및 3-Aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)를 혼합한 용액에 0
10 10
제1항에 있어서,상기 d)단계의 이온반응식각 공정은 10~30 mTorr의 진공, 10~30 W의 RF power 및 200~500 W self-bias power 하에서 20~80 초 동안 테트라플루오로메탄(CF4) 및 아르곤(Ar) 혼합 기체를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.