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비정질 또는 다결정질의 시료의 전부 또는 일부를 덮는 그래핀층을 형성하는 단계;처리 용기 내에서 비정질 또는 다결정질의 시료를 공중 부양하는 단계;상기 시료에 에너지를 인가하는 단계; 및상기 시료를 가열하여 상기 시료를 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 시료는 비정질 또는 다결정질의 상기 시료는 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄나이트라이드(AlN),또는 인듐나이트라이드(InN)인 것을 특징으로 하는 단결정 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 처리 용기에 플라즈마를 이용하여 분해한 질소함유 가스를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 시료는 구 형상인 것을 특징으로 하는 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 시료는 판 형상이고,상기 에너지는 레이저 빔을 이용하여 상기 시료에 조사되고, 상기 레이저 빔은 공간적으로 상기 시료의 표면을 스캐닝하는 하는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 방법
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비정질 또는 다결정질의 시료의 전부 또는 일부를 덮는 그래핀층을 형성하는 단계;처리 용기 내에서 비정질 또는 다결정질의 시료를 공중 부양하는 단계;상기 시료에 에너지를 인가하는 단계; 및상기 시료를 가열하여 상기 시료를 결정화시키는 단계에 의하여 형성된 단결정
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비정질 또는 다결정질의 기판의 전부 또는 일부를 덮는 그래핀층을 형성하는 단계;상기 기판에 에너지를 인가하는 단계; 및상기 기판을 전부 또는 국부적으로 가열하여 상기 기판을 결정화시키는 단계에 의하여 형성된 단결정 기판
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처리 용기;상기 처리 용기 내에 배치되고 비정질 또는 다결정질의 시료를 부양하는 공중 부양부; 및상기 시료에 에너지를 인가하는 가열부를 포함하고,상기 시료의 전부 또는 일부는 그래핀층으로 둘러싸이고,상기 시료는 가열되어 결정화되는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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제8 항에 있어서,비정질 또는 다결정질의 상기 시료는 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄나이트라이드(AlN),또는 인듐나이트라이드(InN)인 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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제8 항에 있어서,상기 공중 부양부는 에어로다이나믹 공중 부양 장치(aerodynamic levitator) 또는 정전기 공중 부양 장치(electrostatic levitator)인 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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제8 항에 있어서,공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및상기 공정 가스를 이온화시키는 플라즈마 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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처리 용기;상기 처리 용기 내부에 배치되고 다결정 또는 비정질의 판형의 기판을 장착하는 기판 홀더; 및상기 기판에 에너지를 인가하는 가열부를 포함하고,상기 가열부는:가열광을 출력하는 가열 램프; 레이저광을 출력하는 레이저;상기 가열 램프의 출력광을 반사시키고 상기 레이저 광을 투과시키는 이색 거울(dichroic mirror); 및상기 이색 거울에 반사된 상기 가열광 및 상기 이색 거울을 통과한 레이저광을 반사시키는 스캐닝 거울을 포함하고,상기 스캐닝 거울에서 반사한 상기 가열광 및 레이저광은 상기 기판에 조사되고,상기 기판의 일부 또는 전부는 그래핀층으로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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제 12 항에 있어서,상기 스캐닝 거울은 기판에 상기 가열광 및 레이저광을 조사하도록 이동하는 것을 특징으로 하는 단결정 제조 장치
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