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실리콘화합물인 매질에 도전형 불순물을 함유하는 다수개의 실리콘 양자점이 함입된 실리콘양자점층;과 상기 실리콘 양자점과 동일한 도전형 불순물을 함유하는 다결정 실리콘층인 전도층;이 교번 적층된 광활성층
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제 1항에 있어서,상기 실리콘양자점층의 두께는 40nm 내지 70 nm인 것을 특징으로 하는 광활성층
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제 1항에 있어서,상기 광활성층의 최하부 및 최상부에는 각각 상기 실리콘양자점층이 형성된 것을 특징으로 하는 광활성층
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제 1항에 있어서,상기 전도층의 두께는 5 nm 내지 10 nm 인 것을 특징으로 하는 광활성층
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제 1항에 있어서,상기 매질은 실리콘질화물, 실리콘산화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광활성층
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제 1항 내지 제 5항에서 선택된 어느 한 항의 광활성층;상기 광활성층 하부에 위치하며, 상기 광활성층에 함유된 도전형 불순물에 대해 상보적 불순물을 함유하는 실리콘 기판; 및상기 광활성층 상부에 형성된 상부전극 및 상기 실리콘 기판 하부에 형성된 하부전극;을 포함하는 태양전지
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제 1항 내지 제 5항에서 선택된 어느 한 항의 광활성층;상기 광활성층 하부에 위치하며, 상기 광활성층에 함유된 도전형 불순물에 대해 상보적 불순물을 함유하는 실리콘층; 및상기 광활성층 상부에 형성된 상부전극 및 상기 상보적 불순물을 함유하는 실리콘층 하부에 형성된 하부전극;을 포함하는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)
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실리콘화합물인 매질 내부에 제1도전형 불순물을 함유하는 실리콘 양자점이 형성된 실리콘양자점층을 형성하는, 실리콘양자점층 형성단계; 및 상기 실리콘양자점층 상부에 제1도전형불순물을 함유하는 다결정 실리콘층인 전도층을 형성하는, 전도층 형성단계;를 포함하며, 상기 실리콘양자점층 형성단계와 상기 전도층 형성단계가 교번 수행되어, 상기 제1도전형 불순물과 상보적인 불순물인 제2도전형 불순물을 함유하는 실리콘 기판 상부로, 상기 실리콘양자점층과 상기 전도층이 교번 적층된 광활성층을 제조하는 광활성층의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 실리콘양자점층의 두께는 40nm 내지 70 nm인 것을 특징으로 하는 광활성층의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 광활성층의 최하부 및 최상부에는 각각 상기 실리콘양자점층이 형성된 것을 특징으로 하는 광활성층의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 전도층의 두께는 5 nm 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 광활성층의 제조방법
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