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금속 이온을 이용한 반사 방지성 실리콘 웨이퍼의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015179841
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이소프로필알코올과 같은 유기 용매의 사용 없이 반사 방지성 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 방법은 실리콘 보다 낮은 전자 친화도를 가지는 금속을 알칼리성 용매에 이온화시켜 생성된 용액에 실리콘 웨이퍼를 접촉시켜 실리콘 웨이퍼의 표면의 일부 또는 전부를 (111) 면으로 요철화시켜 반사 방지성 실리콘 웨이퍼를 제조하는 공정을 포함한다. 이러한 방법에 의하면, 휘발성 유기 용매를 사용하지 않고 환경적으로 및 공정적으로 유리하며, 상온 근처에서도 실리콘 표면을 요철 가공할 수 있고, 요철화시키는 온도에 따라 요철화되는 실리콘의 크기를 임의로 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020110057916 (2011.06.15)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1230404-0000 (2013.01.31)
공개번호/일자 10-2012-0138438 (2012.12.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송재용 대한민국 대전광역시 유성구
2 박현민 대한민국 대전광역시 유성구
3 박선화 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0451793-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024578-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0442791-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0792370-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0792381-96
7 등록결정서
Decision to grant
2012.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0758191-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 보다 낮은 전자 친화도를 가지는 금속을 알칼리성 용매에 이온화시켜 생성된 용액에 실리콘 웨이퍼를 접촉시켜 실리콘 웨이퍼의 표면의 일부 또는 전부를 (111) 면으로 요철화시켜 반사 방지성 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 (100) p-타입 실리콘, n-도프(doped) 실리콘, 단결정 실리콘 및 다결정 실리콘으로 구성된 군으로부터 단독으로 또는 조합적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속은 실리콘 보다 높은 환원력을 가지며 실리콘 결정면에 따라 반응성의 차이를 보이는 금속인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 용액과 상기 실리콘 웨이퍼를 접촉시키는 공정은 40 ℃ 내지 80 ℃ 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 용액의 온도를 조절함으로써 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성되는 요철의 높이를 선택적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 용액의 온도와 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성되는 요철의 높이가 상호 비례하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 금속은 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta) 및 텔루륨(Te)으로 구성된 군으로부터 단독으로 또는 조합적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국표준과학연구원 국가연구개발사업 반도체 공정기반 수직정렬 나노선 열전소자 원천기술개발