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광원부(1)와 상기 광원부(1)로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계(2)를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치에 있어서, 상기 광원부(1)는 광대역의 적외선 광을 생성하고, 상기 간섭계(2)는 상기 광대역 적외선 광이 상기 비아홀의 바닥면, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면의 경계면에서 반사됨으로써 생성되는 간섭 신호를 감지하며, 상기 간섭 신호의 스펙트럼 주기 분석을 통해 다수 주파수 성분에 대한 광경로차를 동시에 획득함으로써 상기 비아홀의 깊이와 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 간섭계(2)는상기 광원부(1)로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21)와 ;상기 시준렌즈(21)를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼(100)에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔분할기(22)와 ;상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기(23)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 간섭계는 스펙트럼 분석기를 포함하여 각 주파수 성분에 따른 간섭 신호를 획득하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 간섭계(2)는 상기 광원부(1)로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21)와 ; 상기 시준렌즈(21)를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼(100)에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔분할기(22)와 ; 상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기(23)와 상기 빔분할기(22)로부터 반사된 빛을 이용하여 상기 검출기(23)에 기준광을 제공하는 기준미러(24)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 간섭계는 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성된 면의 반대면에 대향되게 설치되어 상기 광원부로부터 조사되는 광대역 적외선이 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하여 비아홀의 바닥면이나 웨이퍼의 반대측 표면과의 경계면에서 반사된 빛을 감지함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 광원부(1)는 적외선 영역의 단일 파장 레이저 광을 생성하는 시드 레이저(11); 상기 시드 레이저가 출력하는 적외선 레이저 광으로부터 광대역 적외선 광을 생성하는 주파수발생기(12); 및 상기 주파수발생기에 의해 생성된 광대역 적외선 광을 상기 간섭계(2)에 적용하기 충분한 광량이 되도록 증폭하는 증폭기(13);를포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 주파수 간격이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 반복율이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0
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제 1 항에 있어서,상기 간섭계(2)는상기 광원부(1)로부터 출력되는 광대역 적외선 광을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21) ;상기 실리콘 웨이퍼(100)를 사이에 두고 상기 시준 렌즈와 대향 배치되어, 상기 시준 렌즈를 지나 상기 실리콘 웨이퍼를 투과한 적외선 광을 집속하는 집속 렌즈;상기 집속 렌즈에 대면 배치되어 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀을 통과한 적외선 광과 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성되지 않은 부분을 투과한 적외선 광의 광경로차로 인한 간섭 신호를 검출하는 검출기(23);를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치
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제 1 항의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법에 있어서, 상기 광원부(1)로부터 상기 광대역 적외선 광을 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면, 비아홀 바닥면에서 반사되게 하고, 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 상기 비아홀 바닥면에서 반사되는 적외선 광과의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정하고,상기 실리콘 웨이퍼를 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 상기 기준광의 간섭신호를 측정하여 상기 비아홀의 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법
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제 4 항의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법에 있어서,상기 광원부(1)로부터 광대역 적외선 광을 실리콘 웨이퍼(100)에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사되게 하고, 상기 반사된 광과 기준미러로부터 반사된 기준광의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 웨이퍼(100)를 상기 광원부(1)로부터 조사되는 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 기준광의 간섭신호를 측정하여 비아홀의 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법
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