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비선형 매질의 강유전체 결정으로 형성된 제1 기판 상에 적층된 주기적 분극 반전 패턴을 포함하는 비선형 매질의 강유전체 결정으로 형성된 제2 기판을 포함하는 광변조부;상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 경계면 주위에서 상기 주기적 분극 반전 패턴을 가로지르는 방향으로 상기 제1 기판에 입사하여 진행 방향을 따라 상기 제1 기판이 제1 레이저 빔을 흡수하여 상기 제1 레이저 빔의 경로를 따라 가열되어 주위와의 굴절률 차이를 유발하여 광도파로를 형성시키는 제1 레이저;상기 광도파로를 따라 진행하는 신호광을 제공하는 신호원; 및상기 광도파로를 따라 진행하는 펄스 형태의 제2 레이저 빔을 제공하는 제2 레이저를 포함하고,상기 제2 레이저 빔은 상기 분극 반전 패턴에 DC 전기장을 인가하여 상기 광도파로를 따라 주기적인 굴절률 차이를 유발하고 상기 신호광을 기본 모드에서 고차 모드로 변조하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 레이저 빔은 제2 방향으로 선편광되고, 상기 제2 레이저 빔 및 상기 신호광은 제3 방향으로 선평광되고, 상기 제1 레이저 빔을 제공받아 상기 제1 기판의 일 측면에 제공하고, 상기 제2 레이저 빔 및 상기 신호광을 제공받아 90도 진행 방향을 꺾어 상기 제1 기판의 일 측면에 제공하는 제1 편광 빔 스플릿터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제2 항에 있어서,상기 제1 기판의 타 측면을 통과한 상기 제1 레이저 빔을 제공받아 그 진행 방향으로 출력하고, 상기 제1 기판의 타 측면을 통과한 상기 제2 레이저 빔 및 상기 신호광을 제공받아 진행 방향을 90도 꺾어 출력하는 제2 편광 빔 스플릿터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제3 항에 있어서,상기 제2 편광 빔 스플릿터의 뒤에 배치되어 상기 제2 레이저 빔 및 상기 신호광을 제공받아 상기 신호광을 선택적으로 출력하는 파장 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제4 항에 있어서,상기 파장 필터의 뒤에 배치되어 상기 신호광을 제공받아 기본 모드와 고차 모드를 분리하는 모드 선택 결합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 기판 및 제2 기판은 LiNbO3, LiTaO3, Zn:LiNbO3 및 KTiOPO4 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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제1 항에 있어서,상기 주기적 분극 반전 패턴의 주기(Λ)와 상기 신호광의 변조 전 유효 전파 상수(β21)와 변조 후 유효 전파 상수(β22)는 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 장치
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비선형 매질의 강유전체 결정으로 형성된 제1 기판과 주기적 분극 반전 패턴을 포함하는 비선형 매질의 강유전체 결정으로 형성된 제2 기판을 결합하는 단계;상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 경계선 주위에서 상기 제1 기판에 분극 반전 패턴을 수직으로 가로지르는 진행 방향을 따라 제1 레이저 빔을 제공하여 상기 제1 레이저 빔의 경로를 따라 가열되어 주위와의 굴절률 차이를 유발하여 광도파로를 형성시키는 단계;상기 광도파로를 따라 진행하는 신호광을 제공하는 단계; 및상기 광도파로를 따라 진행하는 펄스 형태의 제2 레이저 빔을 제공하여 모드 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으하는 광-광 변조 방법
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제8 항에 있어서,상기 제2 기판은 상기 제2 기판의 배치 평면에 수직인 방향으로 분극 반전되고,상기 제2 레이저 빔은 상기 분극 반전 패턴에 에베네슨트 전기장을 인가하여 상기 진행 방향을 따라 굴절률 변화를 주기적으로 유발하여 상기 신호광을 기본 모드에서 고차 모드로 변조하는 것을 특징으로 하는 광-광 변조 방법
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