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나노 플라즈모닉 센서 및 이를 이용한 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015179995
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 나노 플라즈모닉 센서는, 분석 대상물이 수용되는 리세스된 수용부를 가지는 금속 나노구조물 및 금속 나노구조물에서의 플라즈몬 공명 현상을 측정하는 측정부를 포함한다. 또한, 본 발명의 나노 플라즈모닉 센서를 이용한 측정 방법은, 분석 대상물이 수용되는 리세스된 수용부를 포함하는 금속 나노구조물을 마련하는 단계, 수용부 내에 분석 대상물을 위치시키는 단계, 및 금속 나노구조물에서의 플라즈몬 공명 현상을 측정하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G01N 21/55 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020130139750 (2013.11.18)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1686011-0000 (2016.12.07)
공개번호/일자 10-2015-0056997 (2015.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20161213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 위정섭 대한민국 대전 유성구
2 이태걸 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1046236-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0060251-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0024569-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0597140-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1033636-90
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1033637-35
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0088948-54
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0314377-38
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0314376-93
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0581041-45
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0939110-03
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0939109-56
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0755328-24
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0002665-33
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0002641-48
18 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0364326-18
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0634661-52
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0634634-29
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0849430-45
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면 및 상기 상면의 가장자리 전체로부터 상부로 연장되어 내측면과 외측면이 모두 노출되는 측벽을 가지는 금속 나노구조물; 및상기 금속 나노구조물에서의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 측정하는 측정부를 포함하고,상기 금속 나노구조물은, 분석 대상물의 높이 또는 부피의 절반 이상이 수용되는 하나의 수용부를 가지는 독립적인 3차원 구조물로서 상기 측벽의 외측면 및 상기 수용부 내에서 상기 상면과 상기 측벽의 내측면은 상기 분석 대상물이 접촉되도록 구성되며, 상기 금속 나노구조물의 크기는 10 nm 내지 200 nm의 범위인 나노 플라즈모닉 센서
2 2
제1 항에 있어서,상기 금속 나노구조물의 높이는 상기 금속 나노구조물의 길이보다 작은 나노 플라즈모닉 센서
3 3
제1 항에 있어서,상기 금속 나노구조물은 페트리 접시(petri-dish) 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
4 4
제1 항에 있어서,상기 수용부의 표면에 코팅되며, 상기 분석 대상물을 흡착하는 기능기를 포함하는 표면 코팅막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
5 5
제1 항에 있어서,상기 금속 나노구조물은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
6 6
제1 항에 있어서,상기 금속 나노구조물의 하부에 배치되는 기판을 더 포함하고,상기 금속 나노구조물은 상기 기판 상에 복수 개가 배열되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
7 7
제1 항에 있어서,상기 측정부는 상기 금속 나노구조물의 표면 또는 주변에서의 광을 검출하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
8 8
제7 항에 있어서,상기 측정부는 상기 분석 대상물의 유무 또는 변화에 따른 흡수(absorption), 산란(scattering), 또는 흡광(extinction) 특성의 변화를 측정하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 센서
9 9
상면 및 상기 상면의 가장자리 전체로부터 상부로 연장되어 내측면과 외측면이 모두 노출되는 측벽을 가지는 금속 나노구조물을 마련하는 단계;분석 대상물이 상기 상면 및 상기 측벽의 내측면에 접촉되도록 상기 분석 대상물의 높이 또는 부피의 절반 이상이 수용되는 수용부 내에 상기 분석 대상물을 위치시키거나 상기 분석 대상물이 상기 측벽의 외측면에 접촉되도록 상기 수용부의 외부에 위치시키는 단계; 및상기 금속 나노구조물에서의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 측정하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노구조물은 하나의 상기 수용부를 가지는 독립적인 3차원 구조물이며, 상기 금속 나노구조물의 크기는 10 nm 내지 200 nm의 범위인 나노 플라즈모닉 센서를 이용하며,상기 금속 나노구조물의 상면, 내측면 및 외측면은 상기 분석 대상물이 접촉가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 측정 방법
10 10
삭제
11 11
기판 상에 제1 및 제2 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 마스크층을 패터닝하여 상기 제1 마스크층의 일부를 노출시키는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제1 마스크층을 식각하여, 상기 기판의 일부를 노출시키는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 기판의 상면 및 상기 제1 마스크 패턴의 측벽 상에 금속층을 증착하여, 상면 및 상기 상면의 가장자리 전체로부터 상부로 연장되어 내측면과 외측면이 모두 노출되는 측벽을 가지며 분석 대상물의 높이 또는 부피의 절반 이상이 수용되는 하나의 수용부를 가져 상기 분석 대상물이 상기 측벽의 외측면 및 상기 상면과 상기 측벽의 내측면에 접촉하도록 하는 금속 나노구조물을 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노구조물을 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 증착 물질이 상기 기판에 대하여 소정 각도를 가지고 공급되어 증착되는 나노 플라즈모닉 센서의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 금속 나노구조물을 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 증착 물질의 소스는 상기 기판과 소정 경사를 갖도록 배치되며, 상기 금속층이 증착되는 동안 상기 소스 또는 상기 기판이 회전되는 나노 플라즈모닉 센서의 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서,상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 마스크층이 이방성 식각되어, 제1 마스크 패턴에 의해 노출되는 영역이 상기 제2 마스크 패턴에 의해 노출되는 영역보다 커서 상기 제2 마스크 패턴의 하부에 언더컷이 형성되는 나노 플라즈모닉 센서의 제조 방법
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1 미래창조과학부 한국표준과학연구원 글로벌프론티어연구개발사업 (바이오나노헬스가드연구단) Top-down 나노패터닝 기반 3D 나노플라즈모닉 센서 개발
2 미래창조과학부 한국표준과학연구원 미래유망 융합기술 파이오니어사업 나노바이오 기반 혈관투과성 측정 및 제어 융합원천기술 개발