1 |
1
내부가 진공으로 유지되며, 적외선 광이 진출입 되는 입사창과 출사창이 측벽에 동축 배치되는 반응기;상기 반응기의 상부면에 결합되며, 내부 공간부가 진공으로 유지되는 플라즈마 장치;상기 반응기와 플라즈마 장치 사이에 개재되며, 상기 플라즈마 장치와 마주보는 면을 분석대상 물질이 통과하는 크리스털;상기 크리스털이 중앙 부근에 결합되며, 일단은 상기 반응기의 상부면에 고정되어 주변 온도를 조절하는 크리스털 히팅 홀더;상기 크리스털 히팅 홀더와 결합되며, 상기 크리스털과 대응되는 위치에 요홈이 형성되는 홀더부재;상기 출사창에서 출력되는 적외선 빔을 검출하는 검출기; 및검출된 빔의 세기를 이용하여 시료의 정성 및 정량 분석을 수행하는 분석기;를 포함하며,상기 분석기는,분석 대상물질을 크리스털 측으로 유입하였을 때의 측정값과, 상기 분석 대상물질의 유입을 차단한 후, 상기 크리스털 표면에 흡착된 물질에 반응가스를 유입시켜 반응시켰을 때의 측정값을 비교하는 가스상태의 흡착종 분석장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 장치는,캐리어 가스가 저장되는 캐리어 가스 공급장치와, 상기 캐리어 가스의 유량을 조절하는 유량 조절장치 및 분석 대상이 되는 전구체 물질이 저장되는 전구체 수용부와 연결되는 가스상태의 흡착종 분석장치
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 크리스털, 크리스털 히팅 홀더 및 고정부의 상부면은 모두 동일면상에 배치되는 가스상태의 흡착종 분석장치 및 이를 이용한 분석장치
|
4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 요홈은 상부의 개구가 상기 크리스털과 접촉하는 하부의 개구보다 넓게 형성되는 가스상태의 흡착종 분석장치 및 이를 이용한 분석장치
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 크리스털은,분석 대상물질이 통과하는 제 1 면;상기 제 1 면과 일정 거리 이격되며, 상기 제 1 면과 평행한 제 2 면;적외선 빔이 입사하는 제 3 면; 및적외선 빔이 출사하는 제 4 면;을 포함하며,상기 제 1 면의 면적은 제 2 면의 면적보다 크게 형성되고, 상기 제 3 면과 제 4 면은 크리스털의 중심에 대해 서로 대칭인 가스상태의 흡착종 분석장치 및 이를 이용한 분석장치
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 크리스털은,게르마늄, 실리콘, AMTIR, ZnSe, 다이아몬드 재질 중 어느 하나인 가스상태의 흡착종 분석장치
|
7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 홀더부재는,상기 플라즈마 장치와 맞물리는 면에 실링부재가 설치되는 가스상태의 흡착종 분석장치
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 분석 대상물질의 이동 방향은 상기 크리스털에 입사 및 출사되는 적외선의 이동 방향과 평행한 가스상태의 흡착종 분석장치 및 이를 이용한 분석장치
|