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제1전극 및 상기 제1전극과 이격되게 설치되는 제2전극을 구비하여, 내부에 플라즈마를 발생하는 진공 챔버부;상기 제1전극 및 제2전극의 사이에 위치하는 코팅부품 장착부;상기 진공 챔버부와 연결설치되어, 상기 진공 챔버부 내의 오염 입자를 집속하는 입자 집속부;상기 입자 집속부와 연결설치되어 상기 오염입자의 성분을 검출하는 입자성분 검출부; 및상기 입자 집속부와 연결설치되어 상기 오염입자의 오염정도를 측정하는 입자 측정부; 를 포함하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버부와 연결되어 상기 플라즈마 내에서 방출되는 광을 파장에 따라 분해하는 분광부; 및상기 파장에 따라 분해된 광을 검출하는 광검출부; 를 포함하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 입자 집속부는원통형으로 형성되어, 내경이 하부로 갈수록 직경이 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제3항에 있어서,상기 입자 집속부는상기 내경에 구비되어 열을 가하는 열선;상기 입자 집속부의 하부에 위치하여, 진동을 가하는 진동부; 및상기 입자 집속부의 하부에 위치하여, 상기 입자 집속부의 축방향으로 회전을 가하는 회전부; 를 포함하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 코팅부품 장착부는 상하이동가능한 기판에 연결되어 상기 코팅부품의 위치 변화에 따라 오염입자를 집속할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버부는 적어도 하나의 정전 탐침 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버부 외부에서 상기 코팅부품 장착부에 전류 및 전압을 인가하는 바이어스 전력부; 및상기 바이어스 전력부와 연결되어 상기 코팅부품 장착부에 인가되는 전류 및 전압을 측정하는 바이어스 검출부; 를 포함하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극은 상기 진공 챔버부의 상부에 위치하며,상기 제1전극의 하부에는 가스 공급부가 구비되어 상기 진공 챔버부 내부로 반응 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극은 접지전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 코팅부품 장착부 사이에 플라즈마 쉬스를 포함하는 반도체 코팅설비의 오염 진단장치
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 반도체 코팅설비의 오염 진단장치를 이용하여 오염입자를 진단하는 반도체 코팅설비의 오염 진단방법
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