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공정 모니터링 장치와 그 방법

  • 기술번호 : KST2015180067
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공정 모니터링 장치 및 공정 모니터링 방법을 제공한다. 이 장치는 공정을 진행하는 공정 챔버, 탐침 전극을 포함하면서 공정 챔버에 배치되는 탐침구조체, 탐침구조체 주위에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치, 및 탐침구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 구동 처리부를 포함한다. 공정 모니터링, 랑뮈어 프르브, 챔버의 표면 상태
Int. CL H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070134192 (2007.12.20)
출원인 정진욱, 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0937164-0000 (2010.01.08)
공개번호/일자 10-2009-0066587 (2009.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.20)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 대한민국 서울특별시 송파구
2 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 대한민국 서울 송파구
2 이민형 대한민국 서울 서대문구
3 정성호 대한민국 서울 성동구
4 최익진 대한민국 서울 강북구
5 김정형 대한민국 대전 유성구
6 신용현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이평우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0914748-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0919770-71
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0077571-63
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0448607-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0307528-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0576976-47
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0576975-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.29 수리 (Accepted) 4-1-2009-5187655-69
10 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0626024-14
11 등록결정서
Decision to grant
2010.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0009131-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002879-79
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정을 진행하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 배치되고 탐침 전극을 포함하는 탐침구조체; 상기 탐침구조체 주위에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치; 및 상기 탐침구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여,상기 플라즈마와 상기 탐침 구조체에 의해 구성되는 등가 회로의 성분들, 또는 상기 탐침 전극의 표면 상태에 관련된 물리량들을 포함하는 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 구동 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 구동처리부는 상기 탐침전극에 적어도 두 개의 기본 주파수를 가지는 교류 전압을 인가하는 구동부; 상기 탐침전극에 흐르는 탐침 전류를 측정하는 감지부; 및 상기 탐침 전류의 기본 주파수 각각에 대한 고조파 성분을 추출하는 처리부를 포함하되, 상기 처리부는 각각의 기본 주파수에 고조파 성분을 처리하여 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 공정 모니터링 파라미터는 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 교류 전압의 기본 주파수는 제1 기본 주파수 및 제2 기본 주파수를 포함하되, 상기 처리부는 상기 탐침 전류의 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수 및 상기 탐침 전류의 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 추출하도록 구성되는 주파수 처리부; 및 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하도록 구성되는 데이터 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 데이터 처리부는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1 차 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 파라미터를 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 데이터 처리부는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고, 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제1 기본 주파수의 제2차 푸리어 시리즈 계수 또는 상기 제2 기본 주파수의 제1 푸리어 계수 및 상기 제2 기본 주파수의 제2차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 데이터 처리부는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고, 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 탐침 구조체는 상기 탐침 전극을 상기 플라즈마로 부터 분리시키는 절연보호막을 더 포함하고, 상기 감지부는 상기 절연보호막의 정전용량을 회로적으로 보상하는 보정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 구동처리부는 상기 탐침전극에 적어도 두 개의 기본 주파수를 가지는 교류 전압을 인가하는 구동부; 상기 탐침전극에 흐르는 탐침 전류를 측정하는 감지부; 및 상기 탐침 전류를 처리하여 상기 플라즈마의 아크 발생 여부를 판단하는 아크 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
10 10
제1 항에 있어서, 상기 구동 처리부는 상기 탐침 구조체와 플라즈마 사이의 정전용량 및 시스 저항 중에서 적어도 하나를 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 탐침 구조체와 상기 구동 처리부 사이에 축전기 및 상기 탐침 전극 상에 절연보호막 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 탐침구조체는 제 1 탐침 전극 및 제2 탐침 전극을 포함하되, 상기 제1 탐침 전극에는 제1 기본 주파수가 인가되고, 상기 제2 탐침 전극에는 제2 기본 주파수가 인가되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 탐침구조체는 제 1 탐침 전극 및 제2 탐침 전극을 포함하되, 상기 제1 탐침 전극에는 제1 및 제2 기본 주파수가 인가되고, 상기 제2 탐침전극은 접지된 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
14 14
제 1항에 있어서, 상기 구동처리부는 상기 탐침 전극 상에 형성되는 박막에 의한 공정 모니터링 파라미터의 변경을 모니터링 하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
15 15
제 1 항에서, 상기 공정 챔버는 공정이 진행되는 제1 영역과 배기 펌프와 연결되는 제2 영역을 포함하고, 상기 플라즈마 발생장치는 상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역에 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
16 16
제1 항에 있어서, 상기 탐침전극에 적어도 2개의 기본 주파수의 교류 전압을 인가하는 단계는 시간에 따라 연속적으로 주파수를 증가시키는 방법, 서로 다른 주파수를 갖는 교류 전압을 서로 다른 시간에 인가하는 방법, 및 동시에 복수의 기본 주파수를 인가하는 방법 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
17 17
탐침전극을 포함하는 탐침구조체를 제공하는 단계; 상기 탐침 구조체 주위에 플라즈마를 생성하는 단계; 및 상기 탐침 구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여, 상기 플라즈마와 상기 탐침 구조체에 의해 구성되는 등가 회로의 성분들 또는상기 탐침 전극의 표면 상태에 관련된 물리량들을 포함하는 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 탐침 전극에 적어도 두 개의 기본 주파수를 가지는 교류 전압을 인가하는 단계; 상기 탐침 전극에 흐르는 탐침 전류를 측정하는 단계; 및 상기 탐침 전극에 흐르는 상기 탐침 전류의 각각의 기본 주파수에 대한 고조파 성분을 추출하여 그 성분을 처리하여 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 공정 모니터링 파라미터는 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 교류 전압의 기본 주파수는 제1 기본 주파수 및 제2 기본 주파수를 포함하되, 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 탐침 전류의 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수 및 상기 탐침 전류의 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 추출하는 단계; 및 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1 차 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 파라미터를 추출하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
22 22
제 20 항에 있어서, 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고, 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제1 기본 주파수의 제2차 푸리어 시리즈 계수 또는 상기 제2 기본 주파수의 제1 푸리어 계수 및 상기 제2 기본 주파수 제2차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
23 23
제 20 항에 있어서, 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고, 상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
24 24
제 17 항에 있어서, 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 탐침구조체에 흐르는 탐침 전류를 처리하여 식각 종료시점을 판단하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
25 25
제 17 항에 있어서, 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는 상기 탐침구조체에 흐르는 탐침 전류를 처리하여 상기 탐침 전류가 정상 상태에서 벗어나는 경우 아크 발생으로 취급하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
26 26
탐침 전극을 포함하고 플라즈마에 노출되는 탐침구조체; 및 상기 탐침구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여, 상기 플라즈마와 상기 탐침 구조체에 의해 구성되는 등가 회로의 성분들 또는 상기 탐침 전극의 표면 상태에 관련된 물리량들을 포함하는 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 구동 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
27 27
탐침 전극을 포함하고 플라즈마에 노출되는 탐침구조체; 및 상기 탐침구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여, 각각의 기본 주파수의 제1 차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 포함하는 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 구동 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100282711 US 미국 FAMILY
2 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2010282711 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2009082109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국표준과학연구원 국가연구개발사업(정부부처) 진공기술기반구축사업(5/5차년도)