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다광자 흡수성 화합물을 첨가하여 고분자막을 형성하고, 레이저를 이용하여 상기 고분자막을 미세 가공하며, 상기 레이져에 대한 상기 고분자막의 공정임계치는 상기 다광자 흡수성 화합물의 농도에 의해 조절되는 것을 포함하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저는 펨토 레이저인 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 2 항에 있어서,상기 레이저는 레이저 시스템에서 갈바노 스캐너를 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저에 대한 상기 고분자막의 공정임계치는 상기 다광자 흡수성 화합물의 농도 증가에 따라 감소되는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다광자 흡수성 화합물의 농도는 상기 고분자막에 대하여 0
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제 1 항에 있어서,상기 다광자 흡수성 화합물은(a) 2개의 공여체가 공액 π-전자 다리(bridge)에 연결된 분자; (b) 1 개 이상의 전자 수용기로 치환된 공액 π-전자 다리에 2개의 공여체(donor)가 연결된 분자; (c) 2개의 수용체(acceptor)가 공액 π-전자 다리에 연결된 분자; 및 (d) 1 개 이상의 전자 공여기로 치환된 공액 π-전자 다리에 2 개의 수용체가 연결된 분자에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 7항에 있어서,상기 다광자 흡수성 화합물은 하기 화학식의 화합물에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자막은 폴리에스테르류, 폴리아미드류, 폴리우레탄류, 폴리아크릴로니트릴류, 폴리스티렌류, 폴리에틸렌류, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드, 폴리비닐알코올류, 불소수지류, 실리콘 수지류 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다광자 흡수성 화합물은 상기 고분자막의 수직 방향에 따라 서로 다른 농도 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 10 항에 있어서,상기 고분자막은 다광자 흡수성 화합물을 서로 다른 농도로 함유하는 복수의 고분자 코팅액을 적층하여 제조한 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 1항 내지 제 3항 및 제 5항 내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항의 고분자막 미세 가공 방법에 의해 가공된 미세 패턴을 갖는 고분자막
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다광자 흡수성 화합물을 첨가하여 고분자막을 형성하고, 상기 다광자 흡수성 화합물은(a) 2개의 공여체가 공액 π-전자 다리(bridge)에 연결된 분자; (b) 1 개 이상의 전자 수용기로 치환된 공액 π-전자 다리에 2개의 공여체(donor)가 연결된 분자; (c) 2개의 수용체(acceptor)가 공액 π-전자 다리에 연결된 분자; 및 (d) 1 개 이상의 전자 공여기로 치환된 공액 π-전자 다리에 2 개의 수용체가 연결된 분자에서 선택되며, 레이저를 이용하여 상기 고분자막을 미세 가공하는 것을 포함하는 고분자막 미세 가공 방법
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제 13 항에 있어서,상기 다광자 흡수성 화합물은 하기 화학식의 화합물에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자막 미세 가공 방법
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