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그리드가 인쇄된 기판위에 나노판이 분산되어 있는 수용액을 분사하여 나노판(110)을 위치시키는 단계(s20);상기 나노판(110)이 위치하는 기판(100)의 상부에 일정 두께의 보호막(120)을 증착하는 단계(s30);상기 보호막(120)이 덮힌 나노판(110)의 피식각부(200)를 식각하는 이온식각 단계(s40); 및보호막 제거제를 사용하여 식각 후의 잔여 보호막(120)을 나노부품으로부터 제거하는 보호막(120) 제거 단계(s50);를 포함하고,상기 나노부품은 두께(410)가 1 nm ~ 500 nm이고, 상기 나노부품 평면상의 일측 길이(420)가 10 nm ~ 2,000 nm의 크기인 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온식각 단계(s40)는 집속 이온빔 또는 전자빔 리소그라피를 이용하는 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온식각 단계(s40)는 전자빔 리소그라피를 이용하고, 상기 전자빔 리소그라피를 이용한 이온식각 단계는:식각용 전자빔 레지스트를 상기 보호막의 상부에 일정한 두께로 코팅하는 레지스트(140) 코팅단계(s41);전자빔에 의한 피식각부(200)에 해당하는 레지스트(140)의 노광 및 현상단(s42);상기 레지스트(140)의 노광 및 현상된 부분에 해당하는 피식각부(200)를 따라 상기 보호막(120)이 증착된 나노판(110)을 식각하는 이온 밀링단계(s43); 및레지스트 제거제를 사용하여 보호막(120) 상부의 잔여 레지스트(140)를 제거하는 레지스트(140) 제거단계(s44);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노판(110)은 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 보호막(120)은 알루미늄으로 형성되고 두께가 20 nm ~ 60 nm인 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품의 제조방법
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제 1 항의 나노부품의 제조방법에 의해 제조된 나노판을 이용한 나노부품
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제 6 항에 있어서,상기 나노부품은 금으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품
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제 6 항에 있어서,상기 나노부품은 나노활자, 나노바퀴, 나노톱니 및 나노기어 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품
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삭제
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제 6 항에 있어서,상기 나노부품은 나노부품 평면상의 일측 길이(420)가 10 nm ~ 1,000 nm의 크기인 것을 특징으로 하는 나노판을 이용한 나노부품
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제 6 항의 나노부품을 나노탐침에 의해 이동하여 나노기계를 조립하는 것을 특징으로 하는 나노기계의 제작방법
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제 11 항에 있어서,상기 나노탐침은 집속 이온빔 장비 또는 전계효과 주사전자현미경 내부에 장착되고 나노탐침의 직경이 100 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 나노기계의 제작방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 나노기계는 고정자(611)들이 축(612)을 중심으로 원주상에 배열된 모터받침(610) 및 상기 축(612)을 중심으로 고정자(611)들의 내부에서 회전가능한 회전자(620)를 포함하는 나노모터(600)인 것을 특징으로 하는 나노기계의 제작방법
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