| 1 |
1
리소그래피 장치에 있어서,
제 1 기저상태, 제 2 기저상태, 제 1 여기상태, 제 2 여기상태 및 소광상태의 에너지준위를 갖는 감광매질(100);
상기 감광매질(100)의 상기 제 1 기저상태와 상기 제 1 여기상태 사이의 에너지준위 전이를 유도하는 제 1 광원(200);
상기 감광매질(100)의 상기 제 2 기저상태와 상기 제 1 여기상태 사이의 에너지준위 전이를 유도하는 제 2 광원(300); 및
상기 감광매질(100)의 상기 제 2 기저상태와 상기 제 2 여기상태 사이의 에너지준위 전이를 유도하는 제 3 광원(400);을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,
상기 제 1 여기상태는 상기 제 1 기저상태 및 상기 제 2 기저상태로 자발전이되는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 제 2 여기상태는 상기 제 2 기저상태 및 소광상태로 자발전이되는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 감광매질(100)은 루비듐 원자인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,
상기 감광매질(100)은 아르곤 원자인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,
상기 감광매질(100)은 n형 비화갈륨 반도체인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,
상기 감광매질(100)은 프라세오디뮴이 첨가된 산화규소 결정인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,
상기 제 1 광원(200) 내지 상기 제 3 광원(400)은 각각 서로 다른 파장을 갖는 레이저인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치
|
| 9 |
9
리소그래피 방법에 있어서,
제 1 광원(200) 및 제 2 광원(300)을 복수의 에너지준위를 갖는 감광매질(100)에 노출시키는 제 1 단계(S100); 및
제 3 광원(400)을 복수의 에너지 준위를 갖는 상기 감광매질(100)에 노출시키는 제 2 단계(S200);를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,
상기 제 1 단계(S100) 및 제 2 단계(S200)를 거치며 원하는 에너지준위 분포를 얻었는지 확인하는 제 3 단계(S300)가 더 구비된 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서,
상기 제 3 단계(S300)에서 원하는 에너지준위 분포를 얻을 때까지 상기 제 1 단계(S100) 및 제 2 단계(S200)를 두 번 이상 연속적으로 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 12 |
12
제 9항에 있어서,
상기 제 1 광원(200)은 상기 감광매질(100)에서 빛의 간섭현상에 의한 정상파를 형성하는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 13 |
13
제 12항에 있어서,
상기 제 2 광원(300)은 상기 감광매질(100)에서 상기 제 1 광원(200)에 의한 정상파의 위상과 0
|
| 14 |
14
제 9항에 있어서,
상기 제 1 광원(200)은 진폭마스크에 투과되어 상기 감광매질(100)에 마스크 영상을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 15 |
15
제 9항에 있어서,
상기 제 1 광원(200)은 위상마스크에 투과되어 상기 감광매질(100)에 마스크 영상을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
| 16 |
16
제 9항에 있어서,
상기 제 2 광원(300)의 감광매질(100)에서 최대 세기는 상기 제 1 광원(200)의 평균 세기의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 방법
|
