| 1 |
1
지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층에 있어서,공중합체 고분자 또는 세라믹으로 구성된 박막(110); 상기 박막(110)을 일정한 간격으로 관통하는 복수의 마이크로 채널(120); 및 상기 채널(120) 내부에 주입된 형광체(130);를 포함하는 것을 특징으로 하는지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 채널(120)은 상기 박막(110)의 상면에 대해 수직방향으로 관통하는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 3 |
3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 채널(120)의 직경은 지문의 골과 골 사이보다 더 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 채널(120)의 직경은 4㎛ 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 형광체(130)는 형광 나노입자로 구성된 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 형광체(130)는 상기 박막(110)의 상면 중 상기 지문과 접촉된 부분에서 발생된 형광신호(410)를 상기 채널(120)을 따라 전달하는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 7 |
7
제 5항에 있어서, 상기 형광 나노입자는 ZnS, SrS, CaS 및 BaS의 2원소 화합물 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서,상기 형광 나노입자의 크기는 상기 채널(120) 내부로 표면장력의 저항 없이 용이하게 삽입될 수 있도록 2㎚~10㎚인 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층
|
| 9 |
9
지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층 제조방법에 있어서,공중합체 고분자 또는 세라믹으로 구성된 박막(110)을 형성하는 단계;상기 박막(110)을 일정한 간격으로 관통하는 복수의 마이크로 채널(120)을 형성하는 단계; 및상기 채널(120) 내부에 소정의 형광체(130)를 주입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층 제조방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서, 상기 채널(120)은 유리전이온도까지 가열된 공중합체 고분자를 어닐링시키면서 형성되는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층 제조방법
|
| 11 |
11
제 9항에 있어서,상기, 채널(120)은 다공성 양극 산화알루미늄(AA0) 템플레이트를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층 제조방법
|
| 12 |
12
제 9항에 있어서,상기 형광체(130)를 주입하는 단계는 상기 채널(120)이 형성된 상기 박막(110)을 형광 나노입자 용액에 담궈 상기 채널(120) 내부에 상기 용액을 침투시키는 단계; 및상기 침투된 용액을 건조시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문인식을 위한 접촉발광소자의 형광층 제조방법
|
| 13 |
13
일면에 지문이 접촉되고, 전극이 연결된 투명 전극층(10); 상기 투명 전극층(10)의 일면에 적층되며, 고분자 또는 세라믹으로 구성된 박막(110)과 상기 박막(110)을 일정한 간격으로 관통하는 복수의 마이크로 채널(120)과 상기 채널(120) 내부에 주입된 형광체(130)로 구성된 형광층(20); 상기 형광층(20) 저면에 형성되며, 절연성 재질로 구성된 절연층(30); 및상기 절연층(30) 저면에 형성되며, 상기 형광층(20)에서 발생한 형광신호(410)를 상기 투명전극층(10) 및 상기 절연층(30)을 통해서 수광받아 전기신호로 변환시켜 출력하는 수광소자(420);를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문입력장치
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서,상기 투명 전극층(10)은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 지문입력장치
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서,상기 절연층(30)은 시아노레진과 N,N-다이메틸폼아마이드를 혼합한 고분자 바인더를 이용하여 유전율을 높인 것을 특징으로 하는 지문입력장치
|
| 16 |
16
제 13항에 있어서,상기 수광소자(420)는 CCD 또는 CMOS 이미지 센서로 형성된 것을 특징으로 하는 지문입력장치
|
