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N형 반도체층 및 P형 반도체층을 포함하는 제1 태양전지; 및상기 제1 태양전지 상에 배치되고, 코어(core) 및 상기 코어를 감싸는 셀(shell)을 가지는 이종 접합 양자점을 포함하고,상기 이종 접합 양자점은 태양광을 흡수하여 형성된 전자-전공 쌍을 포스터 공명 에너지 전달(Forster resonance energy transfer;FRET)을 통하여 상기 제1 태양 전지에 전달하고,상기 셀은:상기 코어를 감싸는 제1 베리어층;상기 제1 베리어층을 감싸는 제1 양자우물층; 상기 제1 양자우물층을 감싸는 제2 베리어층;및상기 제2 베리어층을 감싸는 제2 양자우물층을 포함하고,상기 제2 양자우물층의 밴드갭은 상기 제1 양자우물층의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 코어는 II-VI 족 화합물 또는 III-V 족 화합물을 포함하고,상기 제1 베리어층의 밴드갭은 상기 코어 및 제1 양자우물층의 밴드갭보다 크고,상기 제1 양자우물층의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 코어는 PbS이고,상기 제1 베리어층 및 제2 베리어층은 ZnS이고,상기 제1 양자우물층은 CdSe이고,상기 제2 양자우물층은 CdS인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제4항에 있어서,상기 제1 태양전지는 III-V 족 화합물, IV 족 반도체, 및 유기물인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 태양전지는: 상기 N형 반도체층과 상기 P형 반도체층 사이에 배치된 진성 반도체층을 더 포함하고,상기 진성 반도체층은 Si 양자점, Ge 양자점, InAs 양자점, 또는 InGaAs 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 N형 반도체층 또는 상기 P 형 반도체층은 상기 이종 접합 양자점과 접촉하도록 배치되고,상기 N형 반도체층 또는 상기 P형 반도체의 두께는 수 나노미터(nm)인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 양자점을 감싸는 보호막을 더 포함하고,상기 제1 태양 전지의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지
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