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주사전자현미경의 반사전자 검출기

  • 기술번호 : KST2015180205
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판(100) 상에 설치되며 시편에서 반사된 반사전자에 의해 전자와 홀이 형성되는 포토다이오드(200)를 포함하는 주사전자현미경의 반사전자(BSE-Back scattered electron) 검출기에 있어서, 상기 포토다이오드(200)는 상기 기판(100) 상에 설치되는 제1전극(210); 상기 제1전극(210) 상에 화학기상증착(CVD)방법을 이용하여 비정질 N형반도체층(221), 비정질 N형반도체층(222), 비정질 P형반도체층(223)이 순차적으로 적층되어 형성되는 반도체(220); 및 상기 비정질 P형반도체층(223) 상에 설치되는 제2전극(230);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01J 37/244 (2006.01) H01J 37/26 (2006.01)
CPC H01J 37/244(2013.01) H01J 37/244(2013.01) H01J 37/244(2013.01) H01J 37/244(2013.01) H01J 37/244(2013.01) H01J 37/244(2013.01)
출원번호/일자 1020130104138 (2013.08.30)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1458011-0000 (2014.10.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조양구 대한민국 대전광역시 유성구
2 이확주 대한민국 대전광역시 유성구
3 배문섭 대한민국 . 대전광역시 유성구
4 허지호 대한민국 경기 용인시 처인구
5 김주황 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0795450-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0046328-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0472078-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0851236-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0851270-13
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0720872-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판(100) 상에 설치되며 시편에서 반사된 반사전자에 의해 전자와 홀이 형성되는 포토다이오드(200)를 포함하는 주사전자현미경의 반사전자(BSE-Back scattered electron) 검출기에 있어서, 상기 포토다이오드(200)는상기 기판(100) 상에 설치되는 제1전극(210);상기 제1전극(210) 상에 화학기상증착(CVD)방법을 이용하여 한 쌍의 비정질 N형반도체층(221, 222), 비정질 P형반도체층(223)이 순차적으로 적층되어 형성되되, 각자의 두께가 균질하게 형성되는 반도체(220);상기 비정질 P형반도체층(223) 상에 설치되는 제2전극(230);상기 포토다이오드(200)를 감싸며 상기 제2전극(230)의 일정 영역이 외부로 노출되도록 관통홀(301)이 형성되는 보호막(300); 및상기 관통홀(301)에 형성되어 상기 제2전극(230)과 접속되는 바이어스 전극(400);를 포함하며,상기 보호막(300)은 내측에 상변화물질이 수용되는 것을 특징으로 하는 주사전자현미경의 반사전자 검출기
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삭제
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제1항에 의한 주사전사현미경의 반사전자 검출기가 구비된 주사전자현미경
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.