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탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이(carbon nanotube emitter field emission display)를 제조하는 방법으로서,하부 기판을 제공하는 단계와,상기 하부 기판 위에 캐소드 전극을 형성하는 단계와,상기 캐소드 전극에 상기 전계 방출 디스플레이의 에미터의 역할을 하는 탄소나노튜브를 제공하는 단계와상기 탄소나노튜브 에미터를 둘러싸도록 게이트 절연층을 형성하는 단계와,상기 게이트 절연층 위로 게이트 전극을 형성하는 단계와,상기 게이트 전극과 스페이서(spacer)에 의해 일정한 간극을 두고 상기 게이트 전극을 상부에서 덮는 전면판을 제공하는 단계와,상기 게이트 전극을 마주보도록 상기 전면판 아래로 애노드 전극을 형성하는 단계와,상기 탄소나노튜브 에미터에서 방출되는 전자에 의해 발광되는 형광체층을 상기 애노드 전극에 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법에 있어서,상기 탄소나노튜브를 제공하는 단계는 상기 전계 방출 디스플레이의 에미터의 역할을 하는 상기 탄소나노튜브에 이온빔을 조사하여 상기 탄소나노튜브를 상기 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 방향으로 정렬하여 펴는(straightening) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 이온빔은 집속된 이온빔(focused ion beam)인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법
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제 2항에 있어서,상기 집속된 이온빔은 Ga 이온빔, Au 이온빔, Ar 이온빔, Li 이온빔, Be 이온빔, He 이온빔, Au-Si-Bi 이온빔 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 집속된 이온빔의 가속전압은 5kV 내지 30kV, 전류량은 1pA 내지 1nA이며, 상기 탄소나노튜브가 상기 집속된 이온빔에 노출되는 시간은 1초 내지 1분인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(double-walled carbon nanotube) 및 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이의 제조 방법
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하부 기판과, 상기 하부 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 제공되는 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터를 둘러싸도록 형성되는 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 위로 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 스페이서에 의해 일정한 간극을 두고 상기 게이트 전극을 상부에서 덮는 전면판과, 상기 게이트 전극을 마주보도록 상기 전면판 아래로 형성되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 형성되어 상기 탄소나노튜브 에미터에서 방출되는 전자에 의해 발광되는 형광체층을 포함하는, 탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이로서,상기 탄소나노튜브 에미터는 이온빔의 조사에 의해 상기 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 방향으로 정렬되어 펴진(straightening) 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이
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제 6항에 있어서,상기 이온빔은 집속된 이온빔인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이
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제 7항에 있어서,상기 집속된 이온빔은 Ga 이온빔, Au 이온빔, Ar 이온빔, Li 이온빔, Be 이온빔, He 이온빔, Au-Si-Bi 이온빔 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이
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제 8항에 있어서,상기 집속된 이온빔의 가속전압은 5kV 내지 30kV, 전류량은 1pA 내지 1nA이며, 상기 탄소나노튜브가 상기 집속된 이온빔에 노출되는 시간은 1초 내지 1분인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이
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제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(double-walled carbon nanotube) 및 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브 에미터 전계 방출 디스플레이
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