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기판에 수직 배열되며 하기의 관계식 1 및 관계식 2를 만족하는 다수개의 나노와이어에 질량 분석 대상 물질인 시료를 위치시킨 후, 상기 시료가 위치한 나노와이어에 레이저를 조사하고 시료를 탈착/이온화시켜 시료의 질량을 분석하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어는 ZnO 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 2항에 있어서,상기 레이저는 자외선(UV)이고 상기 Dch가 100 내지 150nm가 되도록 상기 나노와이어에 조사되며, 상기 기판상 수직 배열된 다수개의 나노와이어의 최인접 나노와이어간의 이격거리인 Snw는 30 내지 36nm를 만족하며, 상기 나노와이어는 하기의 관계식 3 및 관계식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 1항 내지 제 3항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 시료의 탈착/이온화에 의한 질량 분석 시 100의 SNR(signal to noise ratio)을 만족하는 임계 레이저 파워(threshold laser power)는, 상기 나노와이어에 대체되어 질량분석이 수행되는 상기 나노와이어와 동일한 물질의 단결정체 기판의 100의 SNR(signal to noise ratio)을 만족하는 임계 레이저 파워를 기준으로, 0
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제 1항 내지 제 3항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 레이저는 다수개의 나노와이어가 배열된 기판 표면의 수직 방향을 기준으로 20˚ 내지 40˚의 각도로 조사되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 1항 내지 제 3항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,액상 매질에 상기 질량 분석 대상이 100fmol 내지 100pmol의 농도로 용해 또는 분산된 분석액과 상기 나노와이어를 접촉시킨 후, 상기 액상 매질을 제거하여, 상기 나노와이어에 상기 질량 분석 대상인 시료를 위치시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 6항에 있어서,상기 접촉은 상기 나노와이어에 상기 분석액의 액적을 떨어뜨려 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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제 1항 내지 제 3항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 질량 분석 대상은 200 내지 800 달튼(Da)의 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 무 매트릭스 질량 분석 방법
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