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초전도 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015180344
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초전도 소자 제조방법에 관한 것으로서, 초전도 소자의 전극 간의 절연방법으로 저온 플라즈마증강 화학기상증착법을 사용하여 절연막 제작에 소요되는 시간을 단축시키는 동시에 스텝 커버러지를 개선시키는 한편, 포토 레지스트를 불소 플라즈마처리하여 기판 가열에 의한 포토 레지스트의 변형을 막고 이에 따른 증착 후 리프트 오프를 용이하게 하여 배선의 신뢰성을 높일 수 있도록 한 초전도 소자 제조방법을 제공하고자 한 것이다.
Int. CL H01L 39/24 (2006.01)
CPC H01L 39/2474(2013.01) H01L 39/2474(2013.01) H01L 39/2474(2013.01)
출원번호/일자 1019980044314 (1998.10.22)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0283858-0000 (2000.12.13)
공개번호/일자 10-2000-0026669 (2000.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이상길 대한민국 대전광역시 서구
3 김진목 대한민국 대전광역시 서구
4 권혁찬 대한민국 대전광역시 서구
5 박용기 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0384358-44
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355291-15
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355290-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008522-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.25 수리 (Accepted) 4-1-1999-0038464-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0073381-61
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0274845-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판위에 하부전극 니오븀, 알루미늄 산화막, 상부전극 니오븀 박막을 순차적으로 증착하는 제1과정과, 제1포토 레지스트 패터닝을 하고 반응성 이온식각으로 상기 상부전극 니오븀을 식각하는 동시에 습식식각으로 상기 알루미늄 산화막을 식각하는 제2과정과, 기판온도 150℃ 이하의 저온 플라즈마증강 화학기상증착법으로 제1실리콘 산화막을 증착하고 리프트 오프하는 제3과정과, 제2포토 레지스트 패터닝을 하는 제4과정과, 저온 플라즈마증강 화학기상증착법으로 제2실리콘 산화막을 증착하고 리프트 오프하는 제5과정과, 배선을 위한 리프트 오프 마스크를 패터닝한 다음 니오븀 전극을 증착하고 리프트 오프하는 제6과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제4과정에서 CF4 또는 SF6를 식각가스로 하고 약 10∼60초간 불소 플라즈마에 포토 레지스트를 노출시켜 그 표면에 경화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제2과정과 제4과정에서 각각의 포토 레지스트를 리프트 오프 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제3과정과 제5과정에서 저온 플라즈마증강 화학기상법에 의한 증착시 기판의 온도는 100∼150℃ 이고, 실리콘 산화막의 두께는 50∼200 nm인 것을 특징으로 하는 초전도 소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.