유기금속화학증착법에 의한 박막의 성장방법에 있어서,

내부와 외부 반응로 사이를 흐르는 시라우딩(shrouding flow) 플로우를 이용하여 가스 및 소스들이 내부 반응로내에서 안정된 층류(laminar flow)가 되도록 하고,

내부 반응로에 위치하는 일정각으로 경사진 면 위에는 기판이 장착되고 하부로는 카운터 플로우의 가스 통로가 내제되어 있는 서스셉터(susceptor)의 뒷면에서 가스통로를 통하여 프론트 플로우에 대하여 역으로 카운터 플로우를 유입시키고, 서스셉터(susceptor)의 전반부에서는 서스셉터(susceptor)를 향하여 수평으로 흐르는 프론트 플로우가 플로우되도록 하되, 프론트 플로우의 전체적인 유량은 카운터 플로우의 유량에 비하여 크게 함으로써 전체적으로는 안정된 층류(laminar flow)가 되도록 하여 서로 선행반응을 일으키는 가스 및 소스들을 각각 프론트 플로우와 카운터 플로우로 분리하여 유동시킴으로써 기판이 장착되는 서스셉터(susceptor) 직전에서 이들이 만나고 혼합하게 하여 선행반응(prereaction)에 요하는 경과시간을 최대로 줄여 선행반응을 방지하여 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 카운터 플로우 방법에 의한 박막성장방법

유기금속화학증착법에 의해 박막을 성장시키는 반응로에 있어서,

외부반응로와 내부반응로의 이중구조로 구성하여, 이 외부반응로와 내부반응로 사이에 시라우딩(shrouding flow) 플로우를 흐르게 하고,

상기 내부반응로 내에는 일정각으로 경사진 면 위에는 기판이 장착되고 하부로는 카운터 플로우의 가스 통로가 내제되어 있는 서스셉터(susceptor)를 장착하여 서스셉터(susceptor)의 뒷면에서 가스통로를 통하여 프론트 플로우에 대하여 역으로 카운터 플로우를 유입시키고, 서스셉터(susceptor)의 전반부에서는 서스셉터(susceptor)를 향하여 수평으로 흐르는 프론트 플로우가 플로우되도록 구성한 것을 특징으로 하는 카운터 플로우 방법에 의한 MOCVD 반응로

기판에 가스 이온을 공급하는 방법에 있어서,

기판 가열을 위하여 고온으로 가열된 고온의 서스셉터 하부 내부의 가스통로를 통하여 가스를 카운터 플로우 하게 함으로써 가스의 이온화를 촉진시켜 박막이 성장되는 기판에 충분한 가스 이온들이 공급되도록 한 방법을 특징으로 하는 카운터 플로우 방법에 의한 선행이온화방법

박막을 지지하는 서스셉터에 있어서,

카운터 플로우 가스의 안정화 역할을 하는 가스 인젝터 부분과 이와 연속되는 일정각으로 경사진 면 위에 기판이 장착되는 그라파이트 서스셉터(graphite susceptor) 부분과 이 두 부분의 하부 내부에 형성된 가스 통로로 구성하되, 이 가스통로는 인젝터 부분에서는 넓다가 그라파이트 서스셉터 부분에서는 좁아지도록 형성시켜 카운터 플로우를 플로우 시키고 카운터 플로우되는 가스의 이온화를 촉진시키는 것을 특징으로 하는 카운터 플로우용 서스셉터