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하기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,R2, R3, R4와 R5는 각각 n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-데실, n-도데실, 2-에틸헥실, n-헥실옥시, n-헵틸옥시, n-옥틸옥시, n-데실옥시, 2-에틸헥실옥시기의 군으로부터 선택되는 고분자 화합물
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(A) 페닐 아조 화합물과 하이드록시기가 있는 방향족 화합물의 커플링 반응에 의해 방향족 색소 화합물을 제조하는 단계; (B) 상기 방향족 색소분자의 하이드록시기를 보호하는 단계; (C) 상기 하이드록시기가 보호된 방향족 색소 화합물과 동일 몰수의 방향족 단량체를 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 촉매 존재하에서 스즈키 커플링 반응에 의해 고분자 화합물을 제조하는 단계;로 이루어지는 제 1 항의 고분자 화합물의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,수평균 분자량이 3,000 내지 100,000인 고분자 화합물
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제 1 항에 의한 고분자 화합물을 포함하는 화학 센서용 수지 조성물
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제 1 항에 의한 고분자 화합물을 포함하는 광미세가공용 수지 조성물
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제 6 항에 있어서, 상기 고분자 화합물 100 중량부에 대하여 광산발생제 1 내지 20 중량부를 함유하는 수지 조성물
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제 6 항에 있어서, 상기 광산발생제는 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리플로오로술포닐 옥시노르보넨이미드 등에서 선택되는 어느 이상의 광산발생제인 수지 조성물
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제 1 항에 의한 고분자 화합물을 포함하는 열미세가공용 수지 조성물
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