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삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015180483
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, Si 기판상에 형성시킨 양극 산화 알루미나(AAO : Anodic Aluminium Oxide)를 선택적으로 차폐시켜 차폐되지 않은 공간에서 탄소나노튜브를 선택적으로 성장시키고, 그 위에 제1 절연층, 게이트 전극층 및 제2 절연층을 차례로 증착시킨 후, 식각 처리로 내부의 탄소나노튜브를 발현시킴으로써 균일한 직경 및 높이를 갖는 탄소나노튜브를 제어가능하게 성장시킬 수 있으며, 탄소나노튜브와 게이트 전극간의 절연이 가능하고 전류 누설을 방지할 수 있는 삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자를 제조할 수 있다.탄소나노튜브, 전계방출소자, 양극 산화 알루미나, 차폐금속
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01)
출원번호/일자 1020060066017 (2006.07.13)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0839181-0000 (2008.06.11)
공개번호/일자 10-2008-0006815 (2008.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20080617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0502096-13
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0534942-18
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2007.03.15 무효 (Invalidation) 1-1-2007-0211388-26
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026044-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0454733-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0702527-60
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0702526-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0039790-68
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0179324-19
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0179322-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0290944-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
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번호 청구항
1 1
(a) Si 기판 상에 양극 산화 알루미나(AAO : Anodic Aluminium Oxide)를 성장시키는 단계, (b) 상기 양극 산화 알루미나(AAO) 상에 차폐층(shadow layer)을 선택적으로 증착시킨 후, 양극 산화 알루미나(AAO)를 부분적으로 차폐시켜 미세 기공의 일부분만을 드러나도록 하는 단계, (c) 열화학 기상 합성 방법 또는 플라즈마 화학 기상 합성 방법을 이용하여 차폐되지 않은 공간에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계, (d) 기판전체에 제1 절연층을 증착시킨 후, 하부에 차폐층이 증착되어 있는 부분 위만에 게이트 전극층을 증착시키는 단계, (e) 상기 게이트 전극층 위에 제2 절연층을 증착시키는 단계, 및 (f) 화학적 또는 물리적 식각 방법을 이용하여 제2 절연층이 증착되지 않은 부분만을 선택적으로 식각 처리하여 하부에 존재하던 탄소나노튜브를 발현시키는 단계를 포함하는 삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 (b)의 차폐층이 Nb, W, 및 Ti 중 어느 하나의 융점이 높은 금속 또는 SiO2 및 SiN 중 하나를 포함하는 세라믹 절연물질인 삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 (d) 및 (e)의 제1 및 제2 절연층이 SiO2를 포함하는 금속과 산소의 화합물 또는 SiN를 포함하는 금속과 질소의 화합물, 또는 절연성 고분자 물질인 삼극관 구조의 탄소나노튜브 전계방출소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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