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제1 광섬유;상기 제 1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하여 평행 광신호로 진행시키는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈를 거쳐 진행된 상기 평행 광신호를 통과시키는 제1 거울;상기 제1 거울을 통과한 상기 평행 광신호를 입사하는 제2 렌즈;상기 제2 렌즈에서 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제3 렌즈;상기 제3 렌즈로부터 집적된 상기 광신호를 출력하는 상기 제2 광섬유;를 포함하되,상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호와 반대 방향으로 방출되는 자발 방출광은 모두 상기 제 2 렌즈를 지나 상기 제1 거울에 수직으로 입사된 후, 반사되어 다시 상기 제 2 렌즈를 지나 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하여 평행 광신호로 진행시키는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈를 거쳐 진행된 상기 평행 광신호를 통과시키는 제1 거울;상기 제1 거울을 통과한 상기 평행 광신호를 입사하는 제2 렌즈;상기 제2 렌즈에서 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;그 끝단이 렌즈 역할을 하도록 제작되어 상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호를 집적하여 출력시키는 렌즈 형상 단부를 가진 제2 광섬유;를 포함하되,상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호의 반대 방향으로 방출되는 자발 방출광은 모두 상기 제2 렌즈를 지나 상기 제1 거울에 수직으로 입사된 후, 반사되어 다시 상기 제2 렌즈를 지나 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1 거울은 상기 광신호의 파장 대역에 대해서 무반사 코팅되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1 거울은, 반사되는 자발방출광의 파장 대역은 C-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 1530nm 이하 파장 대역을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 실시하고, L-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 C-band 대역과 C-band 대역보다 짧은 파장을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 하는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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6
제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈로부터 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제2 렌즈;상기 제2 렌즈로부터 집적된 광을 출력시키는 제2 광섬유;를 포함하되,상기 제1 광섬유 끝의 수직한 면에 상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호와 반대 방향으로 방출되는 자발 방출광의 반사를 위해 거울이 증착되고, 상기 자발 방출광은 모두 상기 제1 렌즈를 지나 상기 거울에서 반사된 후에, 다시 상기 제1 렌즈를 통해 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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7
제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈로부터 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;그 끝단이 렌즈 역할을 하도록 제작되어 상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호를 집적하여 출력시키는 렌즈 형상 단부를 가진 제2 광섬유;를 포함하되,상기 제1 광섬유 끝의 수직한 면에 상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호와 반대 방향으로 방출되는 자발 방출광의 반사를 위해 거울이 증착되고, 상기 자발 방출광은 모두 상기 제1 렌즈를 지나 상기 거울에서 반사된 후에, 다시 상기 제1 렌즈를 통해 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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삭제
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 거울은, 상기 광신호의 파장 대역에 대해서 무반사 코팅되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 8항에 있어서, 상기 거울은, 반사되는 자발방출광의 파장대역은 C-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 1530nm 이하 파장 대역을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 실시하고, L-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 C-band 대역과 C-band 대역보다 짧은 파장을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 하는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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삭제
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12
삭제
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13
제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈에서 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호를 입사하여 평행 광신호로 진행시키는 제2 렌즈; 상기 제2 렌즈를 거쳐 진행된 상기 평행 광신호를 통과시키는 제1 거울;상기 제1 거울을 통과한 상기 평행 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제3 렌즈; 및상기 제3 렌즈로부터 집적된 광신호를 출력하는 상기 제2 광섬유;를 포함하되,상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호와 같은 방향으로 방출되는 자발 방출광은 모두 상기 제2 렌즈를 지나 상기 제1 거울에 수직으로 입사된 후, 반사되어 다시 상기 제2 렌즈를 지나 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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그 끝단이 렌즈 역할을 하도록 제작되어 광신호를 집적하여 출력시키는 렌즈 형상 단부를 가진 제1 광섬유;상기 제1 렌즈에서 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호를 입사하여 평행 광신호로 진행시키는 제2 렌즈; 상기 제2 렌즈를 거쳐 진행된 상기 평행 광신호를 통과시키는 제1 거울;상기 제1 거울을 통과한 상기 평행 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제3 렌즈; 및상기 제3 렌즈로부터 집적된 광신호를 출력하는 상기 제2 광섬유;를 포함하되,상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호와 같은 방향으로 방출되는 자발 방출광은 모두 상기 제2 렌즈를 지나 상기 제1 거울에 수직으로 입사된 후, 반사되어 다시 상기 제2 렌즈를 지나 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 제1 거울은 상기 광신호의 파장 대역에 대해서 무반사 코팅되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 제1 거울은, 반사되는 자발방출광의 파장 대역은 C-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 1530nm 이하 파장 대역을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 실시하고, L-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 C-band 대역과 C-band 대역보다 짧은 파장을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 하는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 입사하는 제1 렌즈;상기 제1 렌즈로부터 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제2 렌즈;상기 제2 렌즈로부터 집적된 광을 출력시키는 제2 광섬유;를 포함하되,상기 제2 광섬유 끝의 수직한 면에 상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호와 같은 방향으로 방출되는 자발 방출광의 반사를 위해 거울이 증착되고, 상기 자발 방출광은 모두 상기 제2 렌즈를 지나 상기 거울에서 반사된 후에, 다시 상기 제2 렌즈를 통해 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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그 끝단이 렌즈 역할을 하도록 제작되어 상기 반도체 칩에서 증폭된 상기 광신호를 집적하여 출력시키는 렌즈 형상 단부를 가진 제1 광섬유;상기 제1 광섬유에서 출력된 광신호를 집적하여 상기 광신호를 증폭하는 반도체 칩;상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호를 제2 광섬유에 집적하는 제2 렌즈; 및상기 제2 렌즈로부터 집적된 광을 출력시키는 제2 광섬유;를 포함하되,상기 제2 광섬유 끝의 수직한 면에 상기 반도체 칩에서 증폭된 광신호와 같은 방향으로 방출되는 자발 방출광의 반사를 위해 거울이 증착되고, 상기 자발 방출광은 모두 상기 제2 렌즈를 지나 상기 거울에서 반사된 후에, 다시 상기 제2 렌즈를 통해 상기 반도체 칩에 집적되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 거울은, 상기 광신호의 파장 대역에 대해서 무반사 코팅되는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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제 19 항에 있어서, 상기 거울은, 반사되는 자발방출광의 파장대역은 C-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 1530nm 이하 파장 대역을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 실시하고, L-band에 사용되는 이득 고정 반도체인 경우에는 신호 대역이 아닌 C-band 대역과 C-band 대역보다 짧은 파장을 반사시킬 수 있는 반사 코팅을 하는 것을 특징으로 하는 이득 고정 반도체 광증폭기
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