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자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법

  • 기술번호 : KST2015180536
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 커패시터, 초경 공구 및 절삭공구, 광학, 내열내식용 등으로 적합한 고순도 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것으로, 산화 탄탈륨 분말에 마그네슘과 아연분말 및 첨가제 등을 혼합하여 아르곤가스 압력하에서 반응시켜 이들의 반응시 발생하는 합성반응열에 의해 반응이 자발적으로 전파되어, 탄탈륨 분말을 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B22F 9/04 (2011.01)
CPC B22F 9/04(2013.01) B22F 9/04(2013.01) B22F 9/04(2013.01) B22F 9/04(2013.01) B22F 9/04(2013.01) B22F 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020070016748 (2007.02.16)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0076598 (2008.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원창환 대한민국 대전 유성구
2 원형일 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0147357-86
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0152710-18
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0224568-42
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0372911-93
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0396469-64
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5082780-15
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0518740-62
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0518464-65
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.08.07 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0571920-61
10 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2007.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0112389-10
11 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2007.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0143234-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0223767-34
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0339722-86
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0339721-30
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0476266-38
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0707256-98
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.10 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2008-0707255-42
19 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0568577-13
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0568578-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법에 있어서,(A) 분말의 입경이 5㎛ 이하인 산화 탄탈륨 분말을 마그네슘 : 아연을 중량대비 0 내지100 :100내지 0 으로 혼합한 환원제분말을 혼합기에 넣고 지르코니아 볼을 사용하여(분말;볼비를 1:1에서 1:10까지) 24시간 동안 혼합하는 단계와;(B) 금속 분말 혼합물에 아르곤 가스를 1 내지 100 기압으로 유지하여 열선에 전압을 인가하여 상기 혼합물의 일부를 자전고온 합성이 개시되는 점화온도까지 가열함으로써 반응을 유도하는 단계와; (C) 생성된 탄탈륨 덩어리를 분쇄하는 단계와;(D) 분쇄한 탄탈륨을 10~30% (HCl과 H2SO4 1:1) 혼합 용액에 산처리하는 단계를 거쳐 제조함을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
2 2
산화 탄탈륨 분말(평균입경: 약 5㎛, 768g)과 환원제 분말(마그네슘과 아연의 중량 혼합비가 9:1,평균입경: 약 10㎛, 232g)을 지르코니아 볼에 분말 혼합물의 1/2 무게비로 혼합하여 볼밀에서 24시간 혼합한 혼합물(1kg)을 용기에 넣어 5Mpa기압의 압력으로 적층한 후 반응기에 넣고, 아르곤가스를 충전-진공배출 하는 퍼징과정을 3회 이상 반복한 후 반응기를 아르곤 가스 50기압으로 유지시킨 다음, 반응물의 일부분을 열선을 이용하여 점화시키고 고온에서 자전 반응이 일어나도록 하여 탄탈륨 분말을 생성하고, 생성된 탄탈륨과 아연 산화물 분말 1kg에 10에서 30%의 산용액(황산 : 염산의 비가 1:1)5ℓ을 첨가하여 상온에서 80℃까지 교반하여 2시간 이상 침출한 후 수회에 걸쳐 수세하고 80℃에서 24시간 건조하여 제조함을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 마그네슘:아연의 혼합비가 중량대비 9:1의 환원제분말인 것을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 첨가제는 염화나트륨 분말인 것을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 첨가제는 염화칼륨 분말인 것을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
6 6
제 4항 또는 제 5항에 있어서,산성용액으로 2시간 동안 산처리하여 산화마그네슘과 산화아연을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자전 연소 반응에 의한 고순도 나노 탄탈륨 분말 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.