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3 차원 나노구조물 완충층이 적용된 이종접합 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015180561
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 전자소자 및 근/중 적외선 소자용 III-Sb 계 박막의 질이 향상된 이종접합 반도체 소자에 관한 것으로 더욱 상세하게는, GaAs 기판 또는 Si 기판과 소자구조 사이에 III-V 족 화합물로 이루어진 3차원 나노구조물이 개재되어 있는 이종접합 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 기판과 박막소자 사이에 새로운 특성의 완충층을 형성함으로써 격자 부정합에 의한 박막내 결함을 최소화한 이종접합 반도체 소자를 제조할 수 있다. 반도체, 소자, 이종접합, 완충층, 나노구조물, 양자점, 박막
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01)
출원번호/일자 1020080027718 (2008.03.26)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0102338 (2009.09.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김문덕 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0218016-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0025909-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0172053-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0172051-90
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0286770-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
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번호 청구항
1 1
GaAs 기판 또는 Si 기판과 소자구조 사이에 III-V 족 화합물로 이루어진 3차원 나노구조물이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 III-V 족 화합물은 AlSb, InSb, GaSb, AlGaSb, InGaSb, AlInSb, Ga(Sb, As), In(Sb, As), Al(Sb, As), AlGaInSb, AlGa(Sb, As) 및 AlIn(Sb, As)로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 나노구조물의 폭 및 높이는 각각 1~1000 nm인 돔, 피라미드, 원통, 원반 또는 다각통의 형상인 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체 소자
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 나노구조물은 자가형성(self-assembling)법 또는 전자빔 리소그라피법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 충남대학교 나노원천 기술개발사업 Si 기판위 양자점 matamorphic 완충층 성장과 Sb 화합물계초고속소자 및 중적외선 레이저 다이오드 연구