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자가형성된 ZnO 양자점이 구비된 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015180566
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 자가형성(self-assembled) ZnO가 구비된 발광다이오드는 반도체 또는 부도체 단결정 기판 상부에 Zn 박막을 형성시킨 후, 상기 Zn 박막과 산소를 반응시키고 기판의 온도를 조절하여 Zn 박막의 응력(stress)을 제어하여 상기 기판상 ZnO 양자점(Quantum dot)을 자가형성(self-assembled) 시킴과 동시에 상기 기판의 표면 요철(surface roughness)을 형성시키는 단계를 포함하여 제조된 자가형성 ZnO 양자점 기판; 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판 상부로 적층되며, 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 n형 반도체층; 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 p형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 구비되어 상기 n형 반도체층으로부터 제공되는 전자와 상기 p형 반도체층으로부터 제공되는 정공이 결합하여 빛을 생성하는 활성층;을 포함하여 구성되며, 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판의 상기 ZnO 양자점이 상기 활성층에서 생성된 빛의 반사경(reflector)으로 작용하며, 상기 자가형성된 ZnO 양자점 기판의 표면 요철이 반사층으로 작용하여 증대된 외부추출효율을 갖는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드인 특징이 있다. 발광 다이오드, 자가형성, ZnO, 양자점
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020080042992 (2008.05.08)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0971688-0000 (2010.07.15)
공개번호/일자 10-2009-0117094 (2009.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20100722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김문덕 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0329597-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008831-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0087049-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0153127-71
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0153125-80
9 등록결정서
Decision to grant
2010.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0299612-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 또는 부도체 단결정 기판 상부에 Zn 박막을 형성시킨 후, 상기 Zn 박막과 플라즈마상 산소를 반응시키고 Zn 박막의 응력(stress)을 제어하기 위한 상기 기판의 온도를 250℃ 내지 500℃로 조절하여 상기 기판상 ZnO 양자점(Quantum dot)을 자가형성(self-assembled)시킴과 동시에 상기 기판의 표면 요철(surface roughness)을 형성시키는 단계를 포함하여 제조된 자가형성 ZnO 양자점 기판; 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판 상부로 적층되며, 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 n형 반도체층; 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 p형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 구비되어 상기 n형 반도체층으로부터 제공되는 전자와 상기 p형 반도체층으로부터 제공되는 정공이 결합하여 빛을 생성하는 활성층; 을 포함하여 구성되며, 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판의 상기 ZnO 양자점이 상기 활성층에서 생성된 빛의 반사경(reflector)으로 작용하며, 상기 자가형성된 ZnO 양자점 기판의 표면 요철이 반사층으로 작용하여 증대된 외부추출효율을 갖는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Zn 박막의 두께는 0
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반도체 또는 부도체 단결정 기판은 4족 단결정 기판; 3-5족 단결정 기판; 2-6족 단결정 기판; 4-6족 단결정 기판; 사파이어 단결정 기판; 산화규소 단결정 기판; 또는 이들의 적층 기판인 것을 특징으로 하는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판의 자가형성된 ZnO 양자점의 밀도는 107 내지 1011 개/cm2인 것을 특징으로 하는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드
7 7
삭제
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층은 각각 n형 ZnO 및 P형 ZnO인 것을 특징으로 하는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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