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화학증착법에 의한 In­Sb­Te 박막의 형성방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015180642
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 300℃ 이하의 저온에서 상변화 메모리 재료인 In-Sb-Te의 박막을 제조할 수 있는 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 In, Sb 및 Te의 소스 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며, 상기 반응 시의 챔버 내의 압력이 상기 반응 시 기판의 온도가 150~230℃이고 챔버 내의 압력이 1~15 Torr이거나, 기판의 온도가 230~300℃이고 챔버 내의 압력이 1~7 Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의한 상변화 메모리 소자용 In-Sb-Te 박막의 형성방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 종래 기술에 의한 상변화 소재인 GST의 대체물질인 IST 박막을 300℃ 이하의 저온에서 용이하게 형성할 수 있으며, 트렌치 구조를 높은 step-coverage로 채울 수 있어 상변화 메모리 소자의 제조에 효율적으로 활용할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/365 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
CPC C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01) C30B 29/605(2013.01)
출원번호/일자 1020100008175 (2010.01.29)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1092424-0000 (2011.12.05)
공개번호/일자 10-2011-0088607 (2011.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20111209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전 서구
2 안준구 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0062164-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005623-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0295156-62
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0567163-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0567155-27
8 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0698122-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
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번호 청구항
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삭제
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상변화 메모리 소자용 In-Sb-Te 박막의 형성방법에 있어서,In, Sb 및 Te 전구체의 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며,상기 In 전구체는 In(CH3)3, In(C2H5)3, In(C11H19O2)3, 또는 In(OOCCH3)3이고, 상기 Sb 전구체는 Sb(CH3)3, Sb(C2H5)3 또는 Sb(i-C3H7)3이며,상기 Te 전구체는 Te(CH3)2, Te(C2H5)2, Te(i-C3H7)2 또는 Te(t-C4H9)2이며,상시 반응 시 기판의 온도가 150~230℃이고 챔버 내의 압력이 1~15 Torr이거나,기판의 온도가 230~300℃이고 챔버 내의 압력이 1~7 Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증진법에 의한 상변화 메모리 소자용 In-Sb-Te 박막의 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 In-Sb-Te 박막에서 In:Sb:Te의 몰비는 2
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제 2 항에 있어서,상기 In-Sb-Te 박막은 멀티-비트 메모리 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 In-Sb-Te 박막의 형성방법
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하부전극이 노출된 트렌치 구조의 절연층, 상기 트렌치 구조를 채우는 상변화 메모리 소재의 박막, 상기 박막 상에 적층된 상부 전극으로 이루어진 메모리 소자의 형성방법에 있어서,상기 상변화 메모리 소재의 박막이 In-Sb-Te 박막으로,제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 충남대학교산학협력단 중견연구자(도약연구)지원사업 신개념의 융합증착기술(Nano-Cluster Deposition)에 의한 유연성 전자소자개발