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하기 구조를 갖는 적색 질화물 형광체
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제1항에 있어서, 0003c#x003c#0
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제1항에 있어서, 0003c#y003c#0
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제1항에 있어서, 0003c#x003c#1, 0003c#y003c#0
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제 1항에 있어서, 상기 적색 질화물 형광체의 분말크기가 2
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하기 단계를 따르는 Me2-xRxSi5N8(0003c#x003c#1)의 조성을 갖는 적색 질화물 형광체의 제조방법a) 희토류 금속원(RC), 알카리 토금속염(MX2), 알카리금속 아자이드(AN3) 및 실리콘 원(Si)인 실리콘분말 의 반응혼합물 제공 단계, b) 상기 반응 혼합물을 고압반응기내에서 질소분위기 하에서 착화 후 자전 연소반응을 수행하는 반응 단계,c) 연소반응에 의해 생성된 적색 질화물 형광체를 분리하고 세척하는 세정 단계
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7
제6항에 있어서, 상기 a) 반응 혼합물 제공 단계에서 상기 반응 혼합물이 무기불소염을 포함하는 불소원(FS)이 추가로 포함되어 Me2-xRxSi5N8-yF3y (0003c#x003c#1, 0≤y003c#1)의 조성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 적색 질화물 형광체의 분말크기가 2
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9
제6항 또는 제7항에 있어서, 알카리 토금속염(MX2)은 MgF2, CaF2, BaF2, SrF2, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, MgI2, CaI2, BaI2, 및 SrI2 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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10
제6항 또는 제7항에 있어서, 알카리 토금속염(MX2)은 실리콘원(Si) 대비 2 내지 3
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제6항 또는 제7항에 있어서, 알카리금속 아자이드(AN3)는 NaN3, KN3, LiN3 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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12
제6항 또는 제7항에 있어서, 알카리 토금속염(MX2)과 알카리금속 아자이드((AN3)의 몰비가 2:4 내지 3
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제7항에 있어서, 무기 불소염을 포함하는 불소원(FS)은 1족,2족,3족에서 선택되는 하나의 원소 또는 NaF, Na2SiF6, CaF2, NH4F, AlF3에서 선택되는 하나 이상의 불화물인 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 희토류 금속원(RC)이 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er , Lu로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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15
제6항 또는 제7항에 있어서, 희토류 금속(RC)원의 양은 알카리 토금속염(MX2) 대비 0
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 실리콘 분말의 분말크기는 0
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17
제6항 또는 제7항에 있어서, 반응 단계 의 질소 압력조건은 0
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18
제6항 또는 제7항에 있어서, b) 단계의 연소반응은 반응혼합물을 펠렛화하여, 금속선 저항에 의한 열원으로부터 상기 펠렛이 착화가 되어 연소반응이 개시되는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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19
제6항 또는 제7항에 있어서, b) 단계의 연소반응은 1 내지 30초 내에 1000 내지 2000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 적색 질화물 형광체의 제조방법
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20
제1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 적색 질화물 형광체를 포함하는 발광소자
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21
제1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 적색 질화물 형광체를 포함하는 LED패키지
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제 21항에 있어서,상기 LED패키지는 불루칩(450~470nm)위에 황색형광체와 제1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 적색질화물 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED패키지
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