1 |
1
a) 알칼리 토금속 산화물, 희토류 금속 산화물, 알칼리 토금속 할로겐화물, 실리콘원 및 환원제의 반응혼합물을 제공하는 단계;b) 상기 반응 혼합물을 고압반응기내에서 질소분위기하에 자전 연소반응을 수행하는 단계;c) 상기 b)단계의 생성물을 세척하고 침출하는 단계;를 포함하는 하기 구조를 갖는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
2 |
2
제 1항에 있어서,0003c#x003c#0
|
3 |
3
제 2항에 있어서,실리콘 산질화물계 형광체는 분말이 판상형인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
4 |
4
제 3항에 있어서,실리콘 산질화물계 형광체는 분말크기가 20
|
5 |
5
제 1항에 있어서,알칼리토금속 산화물은 마그네슘산화물, 칼슘산화물, 스트론튬산화물 및 바륨산화물에서 선택되는 하나 또는 둘이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
6 |
6
제 1항에 있어서,희토류 금속 산화물은 La2O3, CeO2, Pr2O3, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3 및 Lu2O3에서 선택되는 하나 또는 둘이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
7 |
7
제 1항에 있어서,희토류 금속 산화물은 알칼리금속 산화물 1몰을 기준으로 0
|
8 |
8
제 1항에 있어서,알칼리 토금속 할로겐화물은 MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, MgBr2, CaBr2, SrBr2, BaBr2, MgI2, CaI2, SrI2 및 BaI2에서 선택되는 하나 또는 둘이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
9 |
9
제 1항에 있어서,실리콘원은 실리콘 분말(Si), 규산화물(SiO2), 나트류규소불화물(Na2SiF4) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
10 |
10
제 1항에 있어서,환원제는 아지드화 리튬(LiN3), 아지드화 나트륨(NaN3), 아지드화 칼륨(KN3), 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
11 |
11
제 1항에 있어서,질소압력은 0
|
12 |
12
제 1항에 있어서,침출은 염산용액 또는 황산용액으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물계 형광체의 제조방법
|
13 |
13
제 1항 내지 제 12항중 어느 한 항에 따라 제조되어 하기 조성식을 갖는 실리콘 산질화물계 형광체
|
14 |
14
제 13항의 실리콘 산질화물계 형광체를 함유하는 발광소자
|
15 |
15
제 13항의 실리콘 산질화물계 형광체를 함유하는 LED패키지
|