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음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막 및 그 제조 방법 그리고 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015180931
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막이 제공된다. 다층 산화막은 제1 알루미늄 산화막 및 제2 알루미늄 산화막 그리고 이들 사이에 삽입된 실리콘 산화막을 포함한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02145(2013.01) H01L 21/02145(2013.01) H01L 21/02145(2013.01)
출원번호/일자 1020140023252 (2014.02.27)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1525419-0000 (2015.05.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희덕 대한민국 대전 서구
2 이호령 대한민국 대전광역시 서구
3 정광석 대한민국 대전광역시 서구
4 오성근 대한민국 대전광역시 서구
5 이맹 중국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0194493-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0268741-07
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1003150-65
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.21 수리 (Accepted) 9-1-2014-0092916-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0806621-48
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060464-77
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0075407-25
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0188616-88
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0188614-97
11 보정요구서
Request for Amendment
2015.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0047725-21
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2015.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0216314-07
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0229994-63
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.05.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0435875-13
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0435874-78
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0329936-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 접촉되는 제1 알루미늄 산화막; 상기 제1 알루미늄 산화막 위에 형성된 실리콘 산화막; 그리고,상기 실리콘 산화막 위에 형성된 제2 알루미늄 산화막을 포함하며,상기 제1 알루미늄 산화막은 상기 제2 알루미늄 산화막보다 얇게 형성되고,상기 제1 알루미늄 산화막은 0
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삭제
3 3
삭제
4 4
반도체 기판;상기 반도체 기판의 양측에 형성된 소스 및 드레인;상기 반도체 기판 상의 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상의 게이트;를 포함하고,상기 게이트 절연막은,상기 반도체 기판 상에 접촉되는 제1 알루미늄 산화막;상기 제1 알루미늄 산화막 상의 실리콘 산화막; 및상기 실리콘 산화막 상의 제2 알루미늄 산화막;을 포함하고,상기 제1 알루미늄 산화막은 상기 제2 알루미늄 산화막보다 얇게 형성되며,상기 제1 알루미늄 산화막은 0
5 5
삭제
6 6
반도체 기판;상기 반도체 기판의 제1면에 형성되고, 상기 반도체 기판의 도전형과 반대 도전형인 반도체층;상기 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 금속 전극;상기 반도체 기판의 제2 면에 접촉되는 패시베이션층; 및상기 반도체 기판에 전기적으로 연결되는 제2 금속 전극;을 포함하고,상기 패시베이션층은,제1 알루미늄 산화막;상기 제1 알루미늄 산화막 상의 실리콘 산화막; 및상기 실리콘 산화막 상의 제2 알루미늄 산화막;을 포함하며,상기 제1 알루미늄 산화막은 상기 제2 알루미늄 산화막보다 얇게 형성되며,상기 제1 알루미늄 산화막은 0
7 7
청구항 6에 있어서,상기 반도체 기판은 p형 단결정 실리콘 기판이고, 상기 반도체층은 n형 단결정 실리콘층인 태양전지
8 8
청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,상기 반도체층 위에 형성된 반사 방지막; 그리고상기 패시베이션층 위에 형성된 실리콘 질화막을 더 포함하며, 상기 반도체층은 상기 반도체 기판 및 상기 반사 방지막 사이에 위치하고,상기 패시베이션층은 상기 반도체 기판 및 상기 실리콘 질화막 사이에 위치하며, 상기 제1 금속 전극은 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 반도체층에 전기적으로 연결되고,상기 제2 금속 전극은 상기 실리콘 질화막 및 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 반도체 기판에 전기적으로 연결되는 태양전지
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 충남대학교 산업전문인력역량강화 고전압 / 아날로그 비메모리 반도체 소자 전문 인력 양성