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반도체 양자점 집적광소자

  • 기술번호 : KST2015181065
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 집적광소자에 대한 것으로, 상세하게는 양자점이 형성된 에피텍샬 웨이퍼 상에 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 양자점 반도체 광증폭기가 집적 결합되고, 활성층인 양자점군의 가우시안 상태밀도를 이용하여 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작파장 및 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작파장이 각각 독립적으로 조절되는 특징을 갖는다. 본 발명의 양자점 집적광소자는 양자점이 형성된 에피웨이퍼의 양자점 성장조건에 민감하지 않고, 재현성이 좋으며, 에피웨이퍼의 이용 효율이 높은 장점을 가지며, 단일한 에피웨이퍼의 한 평면상에 반도체 광증폭기(SOA)와 라만증폭용 반도체 레이저 다이오드(LD)가 집적되어 크기가 작고 경제적이며 안정적인 광소자 칩을 얻을 수 있으며, 집적된 광소자 칩과 광섬유와의 결합점이 대폭 줄어들어 실장이 용이하고, 광의 손실이 적은 장점이 있다. 양자점, 레이저 다이오드, 반도체 광증폭기, 집적광소자
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/309(2013.01) H01S 5/309(2013.01) H01S 5/309(2013.01) H01S 5/309(2013.01)
출원번호/일자 1020070131158 (2007.12.14)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0931824-0000 (2009.12.07)
공개번호/일자 10-2009-0063700 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20091215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.14)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동한 대한민국 대전 유성구
2 김남제 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0901618-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062391-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0450799-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0713224-68
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0713216-03
10 등록결정서
Decision to grant
2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0493714-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 양자점을 갖는 하나 이상의 양자점 층이 형성된 반도체 기판 상에 상기 양자점 층을 활성층으로 하는 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드(Raman pump) 및 상기 양자점 층을 활성층으로 하는 양자점 반도체 광증폭기(SOA)가 직렬 또는 병렬로 결합되며, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드는 상기 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상부에 형성된 전도성인 제 1 크래드 층; 상기 제 1 크래드 층 상부에 형성되어 상기 하나 이상의 양자점 층을 포함하는 광도파로; 상기 광도파로 상부에 형성된 제 1 크래드 층과 상보적인 전도성을 갖는 제 2 크래드 층; 상기 제 2 크래드층 상부에 형성되어 금속과의 오믹 접촉(ohmic contact)을 이루는 오믹층; 및 금속층을 포함하고, 상기 광도파로 상부, 상기 광도파로 측면, 또는 상기 광도파로와 접하여 파장을 선택하는 브래그 격자가 구성되며, 상기 양자점 반도체 광 증폭기는 상기 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상부에 형성된 전도성인 제 1 크래드 층; 상기 제 1 크래드 층 상부에 형성되어 상기 하나 이상의 양자점 층을 포함하는 광도파로; 상기 광도파로 상부에 형성된 제 1 크래드 층과 상보적인 전도성을 갖는 제 2 크래드 층; 상기 제 2 크래드층 상부에 형성되어 금속과의 오믹 접촉(ohmic contact)을 이루는 오믹층; 및 금속층을 포함하여 구성되며, 상기 직렬 또는 병렬로 결합은 상기 양자점 레이저 다이오드의 상기 광도파로와 상기 양자점 반도체 광 증폭기의 상기 광도파로의 직렬 또는 병렬 결합인 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작 파장은 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 활성층의 길이, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드에 인가되는 전류 밀도, 또는 이들의 조합에 의해 조절되며, 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작 파장은 상기 양자점 반도체 광증폭기의 활성층의 길이, 상기 양자점 반도체 광증폭기에 인가되는 전류 밀도, 또는 이들의 조합에 의해 조절되며, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작 파장 및 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작 파장은 각각 서로 독립적으로 조절되는 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
3 3
제 2항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작파장이 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작 파장보다 짧은 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 상기 양자점 반도체 광증폭기가 직렬로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 양자점 레이저 다이오드의 상기 광도파로상에 형성된 브래그 격자는 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작 파장을 반사하는 고 반사율의 브래그 격자이며, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 상기 양자점 반도체 광증폭기를 직렬 결합시키는 광도파로 상에 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드를 기준으로 상기 고 반사율의 브래그 격자가 형성된 측과 대응된 측에 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작 파장의 빛을 반사하는 저 반사율의 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 상기 양자점 반도체 광증폭기의 입력부가 상기 광 도파로를 이용하여 병렬로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 병렬 결합은 Y-브랜치 (Y-Branch)에 의한 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
10 10
제 8항에 있어서, 상기 병렬 결합은 방향성 결합기(directional coupler)에 의한 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
11 11
제 8항에 있어서, 상기 병렬 결합은 광 분기/결합 다중화기(add-drop multiplexer)에 의한 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
12 12
제 8항 내지 제 11항에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드를 기준으로 상기 병렬로 결합된 측과 대응된 측에 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작 파장을 반사하는 고 반사율의 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 집적광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 충남대학교 국가지정 연구실 사업 비간섭성 양자점 융합 광소자 개발 및 응용연구