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광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시킴과 아울러 상기 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 상기 제 1, 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈이고, 제 2 반사/집적수단은 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공하고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 제 1 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공하고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성하고, 제 2 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈로 구성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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8
제 7 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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9
광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시키는 제 1 집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시켜 상기 제 2 광섬유로 입사킴과 아울러 상기 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 집적수단은 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서 무반사 코팅렌즈이고, 상기 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이외의 파장은 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 9 항에 있어서, 상기 제 1 집적수단은 상기 제 1 광섬유 끝단에 렌즈형상으로 가공 및 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서 무반사 코팅하고, 제 2 반사/집적수단은 상기 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정대역의 파장은 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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13
제 9 항에 있어서,상기 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 13 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시켜 상기 제 2 광섬유로 입사시키는 제 2 집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈이고, 제 2 집적수단은 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서의 무반사 코팅 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 상기 제 1 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성되고, 제 2 집적수단은 상기 제 2 광섬유 끝단이 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 무반사 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 19 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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제 19 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
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