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이득 고정 반도체 광증폭기

  • 기술번호 : KST2015181075
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이득고정 반도체 광증폭기에 관한 것으로서, 광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단, 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시킴과 아울러 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 이득고정, 반도체, 광증폭기, 광신호, 광섬유, 렌즈, 반사, 자발방출광, 코팅
Int. CL H01S 3/00 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01) G02B 6/26 (2006.01) G02B 6/00 (2006.01)
CPC H01S 3/06758(2013.01) H01S 3/06758(2013.01) H01S 3/06758(2013.01) H01S 3/06758(2013.01)
출원번호/일자 1020040042142 (2004.06.09)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0601136-0000 (2006.07.07)
공개번호/일자 10-2005-0116994 (2005.12.14) 문서열기
공고번호/일자 (20061123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.09)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동한 대한민국 대전광역시 유성구
2 이한협 대한민국 대전광역시 유성구
3 오정미 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0248777-25
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2004.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-5088315-86
3 보정통지서
Request for Amendment
2004.06.17 발송취소 (Cancellation of dispatch) 1-5-2004-0040781-80
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2005.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0143498-42
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2006-0007103-76
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0166655-89
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.04.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0250796-65
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0287388-06
10 의견서
Written Opinion
2006.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0287383-78
11 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2006.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0065046-49
12 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2006.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0090450-68
13 등록결정서
Decision to grant
2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0376798-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시킴과 아울러 상기 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 상기 제 1, 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈이고, 제 2 반사/집적수단은 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공하고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 제 1 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공하고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성하고, 제 2 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈로 구성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1, 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
9 9
광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시키는 제 1 집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시켜 상기 제 2 광섬유로 입사킴과 아울러 상기 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 집적수단은 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서 무반사 코팅렌즈이고, 상기 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이외의 파장은 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 집적수단은 상기 제 1 광섬유 끝단에 렌즈형상으로 가공 및 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서 무반사 코팅하고, 제 2 반사/집적수단은 상기 제 2 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정대역의 파장은 반사시키는 반사체로 코팅 형성된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
12 12
제 9 항에 있어서,상기 제 2 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
13 13
제 9 항에 있어서,상기 제 2 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
15 15
광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단; 및 상기 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시켜 상기 제 2 광섬유로 입사시키는 제 2 집적수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체를 코팅한 렌즈이고, 제 2 집적수단은 자발 방출광의 특정 대역이나 신호파장 대역에서의 무반사 코팅 렌즈인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 상기 제 1 광섬유 끝단을 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 특정 대역의 파장을 반사시키는 반사체로 코팅 형성되고, 제 2 집적수단은 상기 제 2 광섬유 끝단이 렌즈 형상으로 가공되고 그 표면은 무반사 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사/집적수단은 반사파장 대역은 1530nm 이하의 파장대역에서 반사시키는 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
19 19
제 15 항에 있어서,상기 제 1 반사/집적수단은 특정파장 이상에서 반사율이 저하되는 투과특성을 갖도록 코팅된 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
21 20
제 19 항에 있어서, 상기 반사율은 자발 방출광 반사율이 20% 이상인 것을 특징으로 하는 이득고정 반도체 광증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.