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은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 고체 전해질을갖는 PMCM 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015181078
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자에 관한 것으로, 고체 전해질 층이 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 PMCM 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 상기 Ge-Te 박막은 또한 박막 내에 질소를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 질소가 함유되는 경우 상기 은이 포화된 Ge-Te 박막은 결정화 온도가 높아져 PMCM 소자에 응용함에 있어 더욱 바람직한 특성을 갖는다.본 발명의 PMCM 소자는 고체 전해질로 독성이 낮고 안전한 Ge-Te 합금을 사용하면서도 결정화 온도가 높아 PMCM 소자의 응용에 널리 활용될 수 있다. 또한 본 발명의 PMCM 소자의 제조 공정에서 상부 전극인 Ag의 증착 시에 in-situ로 Ge-Te 박막 내에 Ag이 확산되어 PMCM 소자의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.비휘발성 메모리, 고체 전해질, 결정화, Ge-Te 합금, 증착, 기억 소자
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060077912 (2006.08.18)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0798696-0000 (2008.01.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전 서구
2 이수진 대한민국 충남 논산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0586527-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032568-03
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0449204-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0741298-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0741300-62
7 등록결정서
Decision to grant
2008.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0026157-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
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번호 청구항
1 1
비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자에 있어서, 고체 전해질 층이 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 PMCM 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 은이 포화된 Ge-Te 박막에서 Ge과 Te의 조성 몰비는 1 : 1~1
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 은이 포화된 Ge-Te 박막 내에 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 PMCM 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 은이 포화된 Ge-Te 박막의 두께는 30~200nm 인 것을 특징으로 하는 PMCM 소자
5 5
비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자의 제조 방법에 있어서, A) 실리콘 기판 상에 하부 전극 및 트렌치 구조의 절연막이 적층된 PCMC 소자 용 기판을 준비하는 단계;B) 상기 PMCM 소자 용 기판 상에 교류 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron co-sputtering)법에 의해 Ge-Te 합금 막을 증착하는 단계:C) 상기 Ge-Te 합금 막 위에 교류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ag를 증착함과 동시에 Ge-Te 합금 막에 확산시켜 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 고체 전해질과 Ag 상부 전극 층을 형성하는 단계; 및D) 상기 상부 전극 층 위에 교류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 W 전극층을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 의한 PMCM 소자의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 B) 단계에서 Ge-Te 합금 막의 증착 시 질소 분위기에서 Ge-Te 합금 막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 의한 PMCM 소자의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 질소 분위기의 질소 농도는 20~30%(v/v)인 것을 특징으로 하는 제 1 항에 의한 PMCM 소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.