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태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015181113
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로써, 제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와, 상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와, 상기 기판의 전면 및 후면 또는 후면을 산화시켜 산화층을 형성하는 산화층 형성단계와, 상기 산화층의 표면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계 및 상기 패시베이션막의 하면에 형성되며 상기 기판의 하면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120095533 (2012.08.30)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0030478 (2014.03.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0699974-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077648-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0742175-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1196879-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0096334-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0096354-06
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0447261-38
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0721321-94
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0721309-45
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0603764-18
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-1057519-18
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1166929-47
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1166979-19
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0896504-47
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면을 산화시켜 산화층을 형성하는 산화층 형성단계와,상기 산화층의 표면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계 및상기 패시베이션막의 후면에 형성되며 상기 기판의 하면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화층은 상기 기판의 전면에도 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화층 형성단계는 상기 기판에 오존을 공급하여 상기 산화층을 형성하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화층 형성단계는 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화층은 0
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 패시베이션막은 Al2O3막이 5nm 내지 50nm의 두께로 형성하며, 원자막 증착법 또는 플라즈마 화학증착법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에미터층 형성 단계 후에,상기 에미터층의 상부에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계 및 상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 한화케미칼(주) 신재생에너지기술개발 초저가 고효율 WT-PERL 결정질 실리콘 태양전지 개발