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용융염 자전고온합성법에 의한 초미립 텅스텐 분말의제조방법

  • 기술번호 : KST2015181149
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 자전고온 합성(SHS; Self-propagating High-temperature Synthesis)을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법은 산화텅스텐; 금속 환원제; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 자전고온 합성하여 초미립 텅스텐(W) 분말을 제조하는 특징이 있다. 본 발명에 따른 제조방법은 평균 입도가 수 나노미터 내지 수백 나노미터의 크기를 갖는 균일한 크기의 초미립 텅스텐 분말을 제조할 수 있으며, 제조된 분말이 다른 상(phase)을 함유하지 않고, 고 결정성을 가지며, 텅스텐 분말의 입자크기를 서브 마이크론 단위로 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한, 기존의 제조 공정에 비해 수초 내지 수분 이내로 반응하여 공정시간이 짧고, 공정이 단순하며, 열효율 및 생산성이 우수하여 제조 원가를 크게 절감할 수 있으며, 대량생산 가능한 장점이 있다. 자전연소반응, 자전고온합성, 알칼리염, 초미립 텅스텐, 산화텅스텐
Int. CL B22F 9/18 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B22F 9/20 (2011.01) B22F 9/16 (2011.01)
CPC B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01)
출원번호/일자 1020080049229 (2008.05.27)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0123252 (2009.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원창환 대한민국 대전시 유성구
2 원형일 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0378544-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0118983-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0325418-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0325453-85
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0351975-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화텅스텐; 금속 환원제; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 자전고온 합성(SHS; Self-propagating High-temperature Synthesis)하여 초미립 텅스텐(W) 분말을 제조하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제조방법은 (a) 산화텅스텐; 금속 환원제; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료를 펠렛(pallet)으로 성형하는 단계; (b) 상기 펠렛을 자전 연소반응기에 장입한 후, 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 상기 펠렛을 국부적으로 순간 가열ㆍ점화시켜 자전고온 반응시키는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계의 반응 생성물을 증류수로 수세한 후, 산성 용액으로 침출(leaching)하는 단계; 를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 알칼리염은 LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI 또는 이들의 혼합염인 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 금속 환원제는 Mg, Zn, Al, Na 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
5 5
제 2항 내지 제 4항에 있어서, (a) 단계의 상기 원료는 상기 산화텅스텐 1몰을 기준으로 1 내지 40몰의 상기 금속 환원제, 0
6 6
제 5항에 있어서, (a) 단계의 상기 원료는 상기 산화텅스텐 1몰을 기준으로 6/(환원제인 금속의 이온가) 몰의 금속 환원제를 함유하는 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, (a) 단계의 상기 펠렛은 10kgf 내지 1000kgf의 압력으로 성형된 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
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제 5항에 있어서, (b) 단계의 상기 자전고온 반응은 1atm 내지 100atm의 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 자전고온 합성을 이용한 초미립 W 분말의 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 내지 제 8항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조되어 평균입자크기가 5 nm 내지 150nm인 초미립 W 분말
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.